[实用新型]一种半桥电路

权利要求书

1.一种半桥电路，其特征在于：由外部直流电源、MOS管Q1、MOS管Q2、 电容器C3、电容器C4、电容器C5以及对MOS管Q1和MOS管Q2交替导通进行 控制的输入控制电路组成；外部直流电源经MOS管Q1的源-漏极和MOS管Q2的 源-漏极接地；所述的MOS管Q1的源-漏极之间并联所述的电容C3、所述的MOS 管Q2的源-漏极之间并联所述的电容C4，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极 引出所述的半桥电路的输出，所述的电容器C5设置在半桥电路的输出端；所述 的输入控制电路分别与所述的MOS管Q1和MOS管Q2的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的半桥电路，其特征在于：所述的输入控制电路包 括驱动信号LO、驱动信号RO，电容器C1，变压器T1；

所述的变压器T1包括原边绕组T1A和两个极性相反的副边绕组T1B和副边 绕组T1C；驱动信号LO经过电容器C1与原边绕组T1A的一端相连，原边绕组 T1A的另一端与驱动信号RO相连；

副边绕组T1B的一端与MOS管Q1的源极相连，副边绕组T1B的另一端与MOS 管Q1的栅极相连；

副边绕组T1C的一端与MOS管Q2的源极相连，副边绕组T1C的另一端与MOS 管Q2的栅极相连。

3.根据权利要求2所述的半桥电路，其特征在于：所述的输入控制电路还 包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4；所述的电阻R1、R3分别串连在副边 绕组T1B的一端与MOS管Q1的栅极之间和副边绕组T1C的一端与MOS管Q2的 栅极之间；电阻R2、电阻R4分别串连在MOS管Q1的栅极与源极之间和MOS管 Q2的栅极与源极之间。

4.根据权利要求1或2或3所述的半桥电路，其特征在于：所述的电容器 C3和电容器C4为高频特性瓷片电容。

5.一种镇流器，包括半桥电路、镇流电感T2，所述的半桥电路的输出经镇 流电感T2接作为负载的电光源；其特征在于：所述的半桥电路为权利要求1至 4中的任一半桥电路。