[实用新型]一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器

权利要求书

1.一种高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器包括狭长的盒体和磁性偏置片，所述高灵敏度单腔体非晶声磁传感器还包括与所述盒体相匹配的盒盖，所述磁性偏置片与所述盒盖相连，所述盒盖与所述盒体底部相连使得所述磁性偏置片位于所述盒体的腔体内，所述磁性偏置片为复合半硬磁偏置片，所述盒体的腔体内设有非晶共振片，所述非晶共振片的横断面呈弧形，所述非晶共振片的弧形外侧与所述磁性偏置片相对。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述非晶共振片为1～4片，所述非晶共振片的宽度为4～12mm，所述非晶共振片的长度为35～40mm，所述非晶共振片的厚度为20～30μm。

3.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述磁性偏置片的宽度为3.5～12mm，所述磁性偏置片的长度为25～40mm，所述磁性偏置片的厚度为60～80μm。

4.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述磁性偏置片为长方体形，所述非晶共振片和所述磁性偏置片呈层状排列。

5.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述磁性偏置片与所述盒体的腔体通过粘结方式连接。

6.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述非晶共振片为FeNiMoB基非晶合金；所述复合半硬磁偏置片为FeNiAlTi基合金。

7.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒体的腔体宽度为5～13mm，所述盒体的腔体长度为36～45mm；所述盒体的宽度为10～14mm，所述盒体的长度为40～50mm。

8.根据权利要求1所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒体是由PS/PE复合膜材料制成的塑料壳体。

9.根据权利要求8所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒盖包含由PE/PET复合膜材料制成的封接层，所述封接层的PE面与所述盒体底部的PE面热封连接。

10.根据权利要求9所述的高灵敏度单腔体非晶声磁传感器，其特征在于，所述盒盖还包括覆盖在所述封接层的PET面上的双面胶层，所述双面胶层的另一面贴有离型纸。