[实用新型]一种用于NAND FLASH的不对称稳压电路

权利要求书

1.一种用于NANDFLASH的不对称稳压电路，其特征在于，包括：偏置模块、误差放大模块和输出模块；

所述偏置模块的输出端与所述误差放大模块的输入端电连接，用于将外部输入电压转化为第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压及第四偏置电压并输入到误差放大模块；

所述误差放大模块的输出端与所述输出模块的输入端电连接，用于根据第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压及第四偏置电压将差分信号进行放大；误差放大模块采用折叠式运放结构，其差分输出级采用不对称结构，差分输出的倍数至少为两倍；

所述输出模块用于接收所述误差放大模块输入的差分放大信号并进行输出。

2.根据权利要求1所述的不对称稳压电路，其特征在于，所述偏置模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；

其中，第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极与第一晶体管漏极电连接，用于接收外部输入电压；

第一晶体管的源极与第二晶体管的源极、第五晶体管的源极以及第六晶体管的源极电连接；

第二晶体管的漏极与第三晶体管的漏极、栅极以及第四晶体管的栅极电连接，第三晶体管的源极与第四晶体管的源极以及第七晶体管的源极电连接；

第四晶体管的漏极与第五晶体管的漏极、栅极电连接；

第七晶体管的栅极、漏极与第六晶体管的漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的不对称稳压电路，其特征在于，第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管和第六晶体管为N型MOS管，并且第二晶体管为两个N型MOS管并联；

第三晶体管、第四晶体管和第七晶体管为P型MOS管。

4.根据权利要求2所述的不对称稳压电路，其特征在于，所述误差放大模块包括第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管和第十八晶体管；

其中，所述第八晶体管的栅极接收外部基准电压，第八晶体管的漏极与第十二晶体管的漏极以及第十四晶体管的源极电连接；第八晶体管的源极与第九晶体管的源极以及第十晶体管的漏极电连接；

第九晶体管的漏极与第十一晶体管的漏极以及第十三晶体管的源极电连接；

第十晶体管的栅极与第一晶体管的栅极以及第二晶体管的栅极电连接，第十晶体管的源极与第十七晶体管的源极、第十八晶体管的源极、第一晶体管的源极、第二晶体管的源极、第五晶体管的源极以及第六晶体管的源极电连接；

第十一晶体管的源极与第十二晶体管的源极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极以及第七晶体管的源极电连接；第十一晶体管的栅极与第十二晶体管的栅极、第三晶体管的漏极、栅极以及第四晶体管的栅极电连接；

第十三晶体管的栅极与第十四晶体管的栅极以及第七晶体管的栅极、漏极电连接；第十三晶体管的漏极与第十五晶体管的漏极、第十七晶体管的栅极以及第十八晶体管的栅极电连接；

第十四晶体管的漏极与第十六晶体管的漏极电连接；

第十五晶体管的栅极与第十六晶体管的栅极以及第五晶体管的栅极、漏极电连接；第十五晶体管的源极与第十七晶体管的漏极电连接；

第十六晶体管的源极与第十八晶体管的漏极电连接。

5.根据权利要求4所述的不对称稳压电路，其特征在于，所述第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管和第十八晶体管为N型MOS管，且均为至少两个N型MOS管并联；

第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管为P型MOS管，且均为至少两个P型MOS管并联。

6.根据权利要求5所述的不对称稳压电路，其特征在于，所述第十二晶体管的个数至少为第十一晶体管个数的两倍，所述第十四晶体管的个数至少为第十三晶体管个数的两倍，所述第十六晶体管的个数至少为第十五晶体管个数的两倍，所述第十八晶体管的个数至少为第十七晶体管个数的两倍；且上述四组倍数相同。

7.根据权利要求4所述的不对称稳压电路，其特征在于，所述输出模块包括第十九晶体管、第一电阻、第二电阻和第一电容；

其中，所述第十九晶体管的源极与所述第十一晶体管的源极、第十二晶体管的源极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极以及第七晶体管的源极电连接；第十九晶体管的栅极与第十四晶体管的漏极以及第十六晶体管的漏极电连接；

第十九晶体管的漏极与第一电阻的第一端以及第一电容的第一端电连接；第一电容的第二端与第十六晶体管的源极以及第十八晶体管的漏极电连接；

第一电阻的第二端与第二电阻的第一端以及第九晶体管的栅极电连接；

第二电阻的第二端与第十七晶体管的源极以及第十八晶体管的源极电连接。