[实用新型]一种佛甲草培育系统有效
| 申请号: | 201520712468.3 | 申请日: | 2015-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN205082327U | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
| 发明(设计)人: | 刘章;曾少珍 | 申请(专利权)人: | 广东易绿谷屋顶绿化有限公司 |
| 主分类号: | A01G9/10 | 分类号: | A01G9/10 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 吴英彬 |
| 地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 佛甲草 培育 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及生态环保领域,具体涉及一种佛甲草培育系统。
背景技术
近年来,为消除日益严重的城市“热岛”现象,屋顶绿化已受到世界各国政府的高度重视,很多西方国家已经把屋顶绿化作为一项建筑硬性指标进行建筑设计,并立法进行保护开发。
德国是目前世界上屋顶绿化普及率最高的国家,2010年德国的屋顶绿化面积已达到1.2亿m2。此外加拿大、丹麦、瑞士等国均是世界上屋顶绿化普及率较高的国家。在世界各国都在大力倡导节能减排的今天,实施屋顶绿化也是实施节能减排的重要举措之一。
目前,我国的屋顶绿化工作处于刚刚起步的阶段,较多采用的是传统的或驯化后的佛甲草。佛甲草的科学培育,关系到佛甲草的顺利存活及生长,目前,由于缺乏一个较合理的培育系统,使佛甲草在生长过程中受环境影响较大,特别是难以实现常年对佛甲草进行培育;且现有的苗床也不能很好的适应佛甲草苗生长。因此,研发一种新型佛甲草的培育装置及系统,就变得较为迫切。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足,提供一种结构合理,能够对佛甲草进行科学培育的佛甲草培育系统,解决育苗成活率不高、且不能常年进行佛甲草培育及驯化等问题。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:
一种佛甲草培育系统,其包括苗床、设于苗床上部的浇水装置和设于苗床下部的排水装置。其中,所述苗床包括自下而上,依次设置的土壤层、第一基质层、根系固定层、第二基质层、种植层、疏水层和保湿层。
所述根系固定层由双层无纺布组成,且双层无纺布无缝连接。
所述第一基质层和第二基质层为腐殖质层。
所述无纺布为20~30g/m2无纺布。
所述无纺布层的强度为2000~10000N/cm2。
所述的双层无纺布之间,及布袋与无纺布层贴合部,设有粘合剂层,该粘合剂层通过在无纺布的内表面喷涂粘合剂后经高频电磁波辐射或热压而形成。
所述第一基质层厚度为1~2cm,第二基质层厚度为1~3cm。
所述疏水层为沙子与基质层的混合物。
所述保湿层为黑网。
所述浇水装置包括纵横交错,呈网状设于苗床表面及周围的浇水喷洒管道及设于管道上的喷嘴,于苗床内设有湿度传感器,对浇水进行控制。
所述系统还包括一大棚,且大棚顶部设有伸缩装置,用于大棚顶部的开闭。于大棚顶部还设有照明装置。
本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的佛甲草培育系统,克服了气候影响的不足,能够实现在四季进行佛甲草的育苗培育,以满足产业化生产的需求;且苗床能够提供良好的佛甲草的生长条件,使得佛甲草育苗能够有较好的生长环境,促进佛甲草的快速生长及繁殖。
附图说明
图1为本实用新型苗床整体剖面结构示意图;
图中:1.苗床;2.排水装置;3.土壤层;4.第一基质层;5.根系固定层;6.第二基质层;7.种植层;8.疏水层;9.保湿层。
具体实施方式
实施例:参见图1,本实施例提供的佛甲草培育系统,其包括苗床1,及设于苗床1上部的浇水装置和设于苗床下部的排水装置2,其中,所述苗床1包括自下而上,依次设置的土壤层3,第一基质层4,根系固定层5,第二基质层6,种植层7,疏水层8和保湿层9。
所述根系固定层5由双层无纺布组成,且双层无纺布无缝连接。
所述第一基质层4和第二基质层6为腐殖质层。
所述无纺布为20~30g/m2无纺布。
所述无纺布层的强度为2000~10000N/cm2。
所述的双层无纺布之间,及布袋与无纺布层贴合部,设有粘合剂层,该粘合剂层通过在无纺布的内表面喷涂粘合剂后经高频电磁波辐射或热压而形成。
所述第一基质层4厚度为1~2cm,第二基质层6厚度为1~3cm。
所述疏水层8为沙子与基质层的混合物。
所述保湿层9为黑网。
所述浇水装置还包括纵横交错、呈网状设于苗床表面及周围的浇水喷洒管道及设于管道上的喷嘴,于苗床内设有湿度传感器,对浇水进行控制。
本实用新型提供的佛甲草培育系统,克服了气候影响的不足,能够实现在四季进行佛甲草的育苗培育,以满足产业化生产的需求;且苗床能够提供良好的佛甲草的生长条件,使得佛甲草育苗能够有较好的生长环境,促进佛甲草的快速生长及繁殖。
以上所述,仅为本实用新型的较佳可行实施例,并非用以局限本实用新型的专利范围,故凡运用本实用新型说明书内容所作的等效结构变化,均包含在本实用新型的保护范围。
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