[实用新型]一种电平转换的装置有效

专利信息
申请号: 201520705307.1 申请日: 2015-09-11
公开(公告)号: CN205212814U 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 胡上;沈煜;陈晓龙 申请(专利权)人: 英特格灵芯片(天津)有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人: 陈霁
地址: 300457 天津市塘沽区信环*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 电平 转换 装置
【权利要求书】:

1.一种电平转换的装置,所述电平转换装置工作在第一电源电压域,其特征在于,包括:

输入电路,用于接收来自第二电源电压域的输入信号;

阈值产生电路,用于生成区分输入信号高低电平的阈值电压;

自偏置放大器电路,用于将所述输入信号与所述阈值电压进行比较,产生逻辑值;

所述电平转换装置产生与所述逻辑值相应的第一电源电压域的输出信号。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述阈值产生电路采用电阻串分压的电路结构,由电源至地的通路上串联的两个电阻构成;或者,所述阈值产生电路采用带隙基准的电路结构。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述自偏置放大器电路,包括两个PMOS管构成输入级、NMOS管构成的有源电流镜负载、PMOS管构成共栅极的电流源;

所述输入级中包括两个PMOS管,第一PMOS管的栅极为正向输入端,第二PMOS管的栅极为负向输入端;所述共栅极电流源由NMOS管构成,其源极连接至所述第一电源电压域的第一电源电压,漏极连接至输入级的源极,栅极与所述有源电流镜负载的栅极共同连接至输入级中所述第一PMOS管的漏极,所述有源电流镜负载由两列PMOS管构成,所述一列PMOS管的漏极连接至所述输入级的第一PMOS管的漏极,所述另一列PMOS管的漏极连接至所述输入级的第二PMOS管的漏极,形成内部自偏置结构。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括反相放大器;

所述反相放大器包括PMOS管与NMOS管,用于将所述自偏置放大器电路的输出信号进行放大处理;或者,所述反相放大器采用低功耗放大器。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述反相放大器具体由比例不同的PMOS管与NMOS管组成。

6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括施密特反相器电路;

所述施密特反相器电路包括施密特反相器和解耦滤波电容,用于防止所述自偏置放大器电路输出信号的误触发。

7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括输出缓冲器;

所述输出缓冲器用于提高输出至外部信号的驱动能力,可依据对驱动能力的需求进行取舍与调整。

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