[实用新型]太赫兹超材料

权利要求书

1.一种太赫兹超材料，其特征在于，包括：

基底；

设置在所述基底上的电磁损耗谐振环结构，其中，通过调整所述电磁损耗谐振环结构的不同结构尺寸和方阻实现太赫兹波段电磁调制功能。

2.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述基底包括柔性基底。

3.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述太赫兹超材料进一步包括：

覆盖在所述基底上的电磁损耗薄膜。

4.根据权利要求3所述的太赫兹超材料，其特征在于，在所述电磁损耗薄膜上加工有不同尺寸的所述电磁损耗谐振环结构。

5.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述电磁损耗谐振环结构为具有开口的谐振环结构。

6.根据权利要求5所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述具有开口的谐振环结构呈U字形、V字形、C字形、倒h形、L字形、或者y字形。

7.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述电磁损耗谐振环结构为具有闭合的谐振环结构。

8.根据权利要求7所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述具有闭合的谐振环结构呈椭圆形、闭合多边形、D字形、或者P字形。

9.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述电磁损耗谐振环结构的方阻为200欧姆每方。

10.根据权利要求3所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述电磁损耗薄膜所包含的材料选自纳米碳粉、或者树脂、或者二者的结合。

11.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，设置在所述基底上的电磁损耗谐振环结构包括多个，且多个所述电磁损耗谐振环结构在所述基底上以周期性阵列的方式进行排布。

12.根据权利要求11所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述基底划分有多个单元格，每个单元格上放置一个所述电磁损耗谐振环结构。

13.根据权利要求12所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述单元格呈方形，且所述单元格的长度和宽度的尺寸范围均为320μm～480μm。

14.根据权利要求2所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述柔性基底包括聚酰亚胺薄膜PI膜。

15.根据权利要求2所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述柔性基底为低介电常数的基底。

16.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述基底的介电常数的取值范围为2.8～4.2，所述基底的损耗角正切的取值范围为0.0048～0.0072，所述基底的厚度的取值范围为60μm～90μm。

17.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述基底的介电常数的取值范围为3.44～5.16，所述基底的损耗角正切的取值范围为0.0032～0.0048，所述基底的厚度的取值范围为32μm～48μm。

18.根据权利要求11所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述太赫兹超材料的对太赫兹波段的电磁调制功能的影响因素包括以下至少之一：

所述电磁损耗谐振环结构的尺寸；

所述电磁损耗谐振环结构的方阻；

多个所述电磁损耗谐振环结构在所述基底上的周期排布方式。

19.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述电磁损耗谐振环结构包括相互平行且对称的两条侧边以及连接所述两条侧边的底边。

20.根据权利要求1所述的太赫兹超材料，其特征在于，所述侧边的长度的取值范围为180μm～220μm，所述侧边的宽度的取值范围为40μm～60μm，所述两条侧边相距为180μm～220μm，所述底边的长的取值范围为240μm～360μm。