[实用新型]一种干法打制的熔炼坩埚有效
申请号: | 201520625316.X | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN204854336U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 许用华;钟小伟;朱福全;叶丹;余汉华 | 申请(专利权)人: | 赣州鑫磊稀土新材料有限公司 |
主分类号: | F27B14/10 | 分类号: | F27B14/10 |
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地址: | 341900 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 打制 熔炼 坩埚 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种烧结钕铁硼的熔炼设备,尤其涉及一种干法打制的熔炼坩埚。
背景技术
目前,烧结钕铁硼在熔炼时需要使用的熔炼坩埚,熔炼坩埚在生产使用一定炉数后,需要重新打制。
常规方法在打制坩埚时,使用类似混凝土的材料固定坩埚。该方法存在以下问题:第一、因混凝土含有正硅酸乙酯,需将混凝土烘干后,熔炼炉才能使用,烘炉时间约为3天。
第二、如果烘炉时间太短,将产生裂纹等、坩埚损坏等问题。其中3天的烘炉时间,既浪费了大量的电能,又耽误了生产。另外,混凝土将坩埚固定得很结实,下次拆炉时,费时费力。
实用新型内容
本实用新型为了解决现有技术的上述不足,提出了一种干法打制的熔炼坩埚。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:一种干法打制的熔炼坩埚,包括呈筒状的设置在内侧的内坩埚、包覆设置在坩埚外层的外阻磁锅、设置内坩埚和外阻磁锅之间的且呈筒状设置的压实层、设置在压实层内的螺旋绕设的方形水冷铜线圈、以及设置在内坩埚和外阻磁锅上部的压板,所述压板的下部设有置于内坩埚沿口和外阻磁锅沿口之间设有封口层。
所述的内坩埚为氧化铝坩埚,所述外阻磁锅采用软磁铁氧体制成,所述压实层采用高强耐磨浇注料压实筑成。
所述封口层为混凝土层,该混凝土层由高强耐磨浇注料和正硅酸乙酯填充料组成,所述高强耐磨浇注料和正硅酸乙酯填充料的重量比为10:1。
与现有技术相比,本实用新型采用的产品的构造新颖,采用的压实层和封口层能够牢固的固定内坩埚和外阻磁锅,压板是进一步预防氧化铝坩埚松动,起加固作用。而且压实层中的高强耐磨浇注料可重复利用,节约材料,大幅度减少正硅酸乙酯用量,这样的构造连接结构很容易将内坩埚与其余部分分离,可快速更换氧化铝坩埚。而只在上部的混凝土层中含有正硅酸乙酯,大大地缩短了烘炉时间,相比传统构造的熔炼坩埚的烘炉时间至少缩短了四分之一,提高了工作效率,也大大地减少了能源的浪费。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对实用新型进行详细的说明。
如图1所示,本实用新型提出的干法打制的熔炼坩埚,其特征在于:包括呈筒状的设置在内侧的内坩埚1、包覆设置在坩埚1外层的外阻磁锅2、设置内坩埚1和外阻磁锅2之间的且呈筒状设置的压实层3、设置在压实层3内的螺旋绕设的方形水冷铜线圈4、以及设置在内坩埚1和外阻磁锅2上部的压板5,压板5的下部设有置于内坩埚1沿口和外阻磁锅2沿口之间设有封口层6。内坩埚1为氧化铝坩埚,外阻磁锅2采用软磁铁氧体制成,所述压实层3采用高强耐磨浇注料压实筑成。
封口层6为混凝土层,该混凝土层由高强耐磨浇注料和正硅酸乙酯填充料组成,所述高强耐磨浇注料和正硅酸乙酯填充料的重量比为10:1。
本实用新型利用了水冷坩埚电磁感应真空悬浮熔炼方法,它的工作原理是在真空条件下将需要熔炼的烧结钕铁硼原料置于内坩埚内,也是将烧结钕铁硼原料置放在方形水冷铜线圈4的产生的高频或中频交变电场内,并利用通水冷却的氧化铝坩埚作为磁场的“聚能器”,使能源磁场能量集中于氧化铝坩埚的容积空间内,进而烧结钕铁硼原料炉料的表面附近形成强大的涡电流,一方面释放出焦耳热使烧结钕铁硼原料熔化,另一方面形成洛仑磁力场使烧结钕铁硼原料是熔体悬浮(或半悬浮)和搅拌。由于磁悬浮的作用,使熔体与氧化铝坩埚的内壁脱离接触,这样熔体与氧化铝坩埚之间的散热行为由传导散热改变为辐射散热,从而导致散热速度聚减。这样就使得氧化铝坩埚内的烧结钕铁硼原料达到很高的温度,进而熔炼成所需要的烧结钕铁硼。
与传统的坩埚的结构不同的是在于本实用新型的构造,本实用新型采用的构造以下突出优点:一、压实层中的高强耐磨浇注料可重复利用,节约材料;二、大幅度减少正硅酸乙酯用量;三、很容易将氧化铝坩埚与其余部分分离,可快速更换氧化铝坩埚;四、正硅酸乙酯含量少,且只在上部,易挥发,烘炉时间缩短到常规方法的四分之一,熔炼炉每月生产炉数从96炉提高到112炉,即生产效率提高16.7%。
上述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利和保护范围应以所附权利要求书为准。
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