[实用新型]一种用于RRAM的存储单元片内自测电路有效

专利信息
申请号: 201520593701.0 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN204884572U 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 王小光 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 张倩
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 rram 存储 单元 自测 电路
【权利要求书】:

1.一种用于RRAM的存储单元片内自测电路,其特征在于:包括锁存模块、锁存使能模块、回写地址模块以及页缓存器回写模块;

所述锁存模块位于读数据通路上,用于接收验证模块发送的成功标志位,并在接收到锁存使能模块发送的锁存信号的情况下将当前地址的成功标志位采样,产生当前地址的最终操作结果;

所述锁存使能模块用于在控制判断逻辑模块判断得知当前操作为当前地址的终次操作时产生锁存信号,并发送给锁存模块和页缓存器回写模块;

所述回写地址模块用于在控制判断逻辑模块判断得知当前操作为当前地址的终次操作时从地址发生器提取与该终次操作所对应的当前地址信息,并发送给页缓存器回写模块;

所述页缓存器回写模块用于根据收到的当前地址信息和锁存信号产生回写地址信息和回写使能,并发送给页缓存器,页缓存器根据收到的回写地址信息和回写使能,将当前地址的最终操作结果存储在页缓存器相应位置,供外部接口后续读取。

2.根据权利要求1所述的用于RRAM的存储单元片内自测电路,其特征在于:所述锁存使能模块包括组合逻辑电路和时钟门控电路,所述组合逻辑电路用于在接收到控制判断逻辑模块发送的操作成功信号或失败次数达到上限时产生一个当前地址的终次操作信号,发送给时钟门控电路;所述时钟门控电路在收到当前地址的终次操作信号和时钟信号时产生锁存信号。

3.根据权利要求1或2所述的用于RRAM的存储单元片内自测电路,其特征在于:所述锁存模块为锁存器电路,所述锁存器电路的数据输入端接验证模块发送的成功标志位,所述锁存器的时钟输入端接锁存信号,所述锁存器的输出端输出当前地址的最终操作结果。

4.根据权利要求3所述的用于RRAM的存储单元片内自测电路,其特征在于:所述回写地址模块包括锁存器逻辑电路,在当前地址的终次操作有效时提取来自地址发生器的当前地址信息,并将当前地址信息发送给页缓存器回写模块。

5.根据权利要求4所述的用于RRAM的存储单元片内自测电路,其特征在于:所述页缓存器回写模块包括逻辑选择器MUX、反馈保持电路和延时匹配电路,所述逻辑选择器的选择输入端接锁存信号,一个输入端接当前地址信息,另一个输入端接反馈保持电路,所述逻辑选择器的输出端接页缓存器,所述延时匹配电路的输入端接锁存信号,输出端接页缓存器。

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