[实用新型]低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统有效
申请号: | 201520589600.6 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN204859585U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 高晖昭;史蒂夫班帝 | 申请(专利权)人: | 高晖昭 |
主分类号: | H05B3/22 | 分类号: | H05B3/22;H05B3/02 |
代理公司: | 无锡大扬专利事务所(普通合伙) 32248 | 代理人: | 方为强 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电场 电磁辐射 桑拿 发热 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及电场屏蔽技术领域,尤其是一种低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统。
背景技术
桑拿房通过发热空间提供治疗和洁肤效果,热量使人体出汗,也能减轻肌肉和关节的痛苦,达到治疗的效果。传统的桑拿发热方法利用明火、封闭的炉子产生蒸汽,但直接使用明火的热辐射时会使得桑拿房烟雾腾腾,明火产生的热持续时间短,需要源源不断地消耗易燃材料。柴炉虽然可以较长时间保持热度,但是炉子本身也屏蔽了部分热量。
为了克服上述缺陷,人们研制了电发热器用于桑拿,广受人们青睐。这些电发热器包括电阻发热器、热辐射发热器等,例如红外发热板在红外线光谱内产生红外辐射,红外辐射激活桑拿人的体内分子产生热量。通过研究发现:蒸汽或者温暖的空气只是利用导热使皮肤及皮下组织发热,而红外辐射在没有使用传导介质的情况下能更深入地进入人体约2-4厘米,从而更为有效更为舒适地温暖人体,以达到出汗的温度。
众所周知,电流通过导体产生电磁场。通常电磁场被认为包括电场和相互作用的磁场。电场源于电荷,电场的强度通常以伏特/米来衡量。电磁辐射是由运动电荷的电流引起的,电磁辐射的密度单位通常是高斯,术语电磁辐射(EMR)有时也用来定义与电磁场辐射源的空间间隔。
上述热辐射发热系统通常采用交流电,如在美国用110伏60赫兹的交流电,在欧洲用230伏60赫兹的交流电,这样的发热系统除了所需要的用于发热的红外辐射外,还会产生一定量的低频率(例如50~60赫兹)的电磁辐射。据估计,在某些情况下,红外桑拿系统会产生的低频电磁辐射,磁场强度高达60毫高斯。相比较之下,在高压输电线路下方的区域内测到的低频率磁场强度为较高的1.9毫高斯,户外地区测到的低频率磁场强度为较低的0.3毫高斯。除了电磁辐射的磁性组成外,红外桑拿发热系统也会发出电磁场(EF)分量。
人们采用多种尝试以降低桑拿发热系统产生的低频电磁辐射,包括增加发散源的距离或减少暴露辐射的时间。此外,人们试图通过电磁干扰消除方案来降低低频率电磁辐射的量,比如人为产生多个能互相抵消的低频率电磁场。
实用新型内容
本申请人针对上述现有红外桑拿发热系统的低频辐射与电场较高的缺点,提供一种结构合理的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,从而可以有效地降低桑拿房的电场和电磁辐射。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,包括:一块与导电绝缘的绝缘基板;一根电源导线;设置有至少一个与电源导线电耦合的红外发热元件的发热层,当电流通过时,配置的该红外发热元件发射红外线辐射热;至少一个屏蔽层,所述屏蔽层设置在发热层的前部,屏蔽层接地,用于屏蔽所述红外发热元件发出的电场与电磁辐射。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述屏蔽层包括电耦合的印刷碳膜与接地框架,屏蔽层接地框架连通到电源导线的地线上接地。
屏蔽层接地框架采用铜箔或导电材料,制作成为水平与竖直正交的结构框架。
印刷碳膜在接地框架表面印刷一定阻值的导电材料,并与接地框架完全导通接触。
印刷碳膜为与接地框架成重叠相交的接触融合。
印刷碳膜的线宽约10-15mm,相邻间隔约150-200mm。
还包括至少一个与电源导线电耦合的抵消层,所述抵消层平行设置在所述红外发热元件背部。
抵消层的形状与排列与发热层相对应。
发热层与电源导线的正极连通,抵消层与电源导线的负极连通,屏蔽层与电源导线的地线连通。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型通过设置屏蔽层,有效地屏蔽红外发热元件发出的低频电场辐射,屏蔽层中正交的接地框架与地线相连通,形成一个阻值基本为零欧姆的接地;接地框架上表面印刷碳膜形成的平行线,既可以达到显著的电场全面高屏蔽效果,而且对于发热效果也没有影响。
本实用新型在发热层背部设置有抵消层,抵消层的形状与排列与发热层相对应,抵消层与电源导线的负极电连通,通过产生相反的低频率电磁场用以抵消发热层产生的电磁辐射。
通过上述屏蔽与抵消结构,本实用新型的桑拿房发热系统的电磁辐射与电场辐射可以显著得以降低,从而有效地保障使用者的人身安全。
附图说明
图1为本实用新型的桑拿发热系统的分解示意图。
图2为本实用新型的中剖剖视图。
图3为本实用新型的屏蔽层的主视图。
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