[实用新型]抗干扰型无线通讯电路

说明书

技术领域

本实用新型属于无线通信技术领域，具体涉及一种抗干扰型无线通讯 电路。

背景技术

目前，无线通讯模块许多以FSK、MSK等传统的调制解调技术进行信息 的无线传输，该技术在使用中抗干扰性差、灵敏度低，同时，为达到远距 离通讯目的，模块的电路功耗也很大，因此，在实际通讯中受到极大制约。 SX1278收发器采用LoRa远程调制解调器，在抗阻塞和选择性方面有明显优 势，解决了传统方案无法同时兼顾距离、抗干扰和功耗的问题。然而，通 常采用SX1278射频芯片的模块，因为外围电路设计的不合理而导致射频功 率的无用损耗和系统数据传输不稳定，影响系统的抗干扰性以及信号的传 输距离。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型是提供一种结构简单、使用稳定 性且抗干扰性强的抗干扰型无线通讯电路。

实现本实用新型目的的技术方案是：一种抗干扰型无线通讯电路，包 括射频处理芯片、天线，所述射频处理芯片与所述天线通过射频开关相连 接，在所述射频处理芯片与所述射频开关之间设有相并联的第一匹配电路 和第二匹配电路，还包括与所述射频处理芯片相连接的稳流电路和晶振电 路。

所述第一匹配电路包括第一电容和第一电感，所述第一电容串联在所 述射频处理芯片与所述射频开关之间，所述第一电感的一端连接在所述第 一电容与所述射频处理芯片之间，另一端接地。

所述第二匹配电路包括第二电感、第三电感、第二电容和第三电容， 所述第二电感与第三电感串联在所述射频处理芯片与所述射频开关之间， 所述第二电容的一端连接在所述第二电感与第三电感之间、另一端接地， 所述第三电容的一端连接在第三电感与所述射频开关之间、另一端接地。

所述射频处理芯片的型号为SX1278芯片，所述射频开关的芯片型号为 PE4259芯片。

本实用新型具有积极的效果：本实用新型的结构简单、使用稳定性好， 其可有效的提高信噪比，使信号灵敏度增强，同时也提高了信号响应的线 性度，检索信号能力提高同时射频功率输出增大，同时还可有效的提高抗 干扰性能，保证数据的稳定传输，适用性好，实用性强。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据具体实施例 并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中：

图1为本实用新型的具体电路图；

图2为第一匹配电路的驻波及传输损耗图；

图3为第二匹配电路的驻波及传输损耗图。

具体实施方式

(实施例1)

图1至图3显示了本实用新型的一种具体实施方式，其中图1为本实 用新型的具体电路图；图2为第一匹配电路的驻波及传输损耗图；图3为 第二匹配电路的驻波及传输损耗图。

见图1至图3，一种抗干扰型无线通讯电路，包括射频处理芯片1、天 线，所述射频处理芯片1与所述天线通过射频开关3相连接，在所述射频 处理芯片1与所述射频开关3之间设有相并联的第一匹配电路4和第二匹 配电路5，还包括与所述射频处理芯片1相连接的稳流电路6和晶振电路2。

所述第一匹配电路4包括第一电容C1和第一电感L1，所述第一电容 C1串联在所述射频处理芯片1与所述射频开关3之间，所述第一电感L1 的一端连接在所述第一电容C1与所述射频处理芯片1之间，另一端接地。

所述第二匹配电路5包括第二电感L2、第三电感L3、第二电容C2和 第三电容C3，所述第二电感L2与第三电感L3串联在所述射频处理芯片1 与所述射频开关3之间，所述第二电容C2的一端连接在所述第二电感L2 与第三电感L3之间、另一端接地，所述第三电容C3的一端连接在第三电 感L3与所述射频开关3之间、另一端接地。

所述射频处理芯片的型号为SX1278芯片，所述射频开关的芯片型号为 PE4259芯片。

本实用新型的结构简单、使用稳定性好，其可有效的提高信噪比，使 信号灵敏度增强，同时也提高了信号响应的线性度，检索信号能力提高同 时射频功率输出增大，同时还可有效的提高抗干扰性能，保证数据的稳定 传输，适用性好，实用性强。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作 的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通 技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变 动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型 的实质精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍属于本实用新型的保护范 围。