[实用新型]一种高效率H7型单相非隔离并网逆变器有效

专利信息
申请号: 201520528216.5 申请日: 2015-07-20
公开(公告)号: CN204794754U 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 胡存刚;张云雷;姚培;王群京 申请(专利权)人: 安徽大学
主分类号: H02M7/537 分类号: H02M7/537
代理公司: 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 代理人: 吴丽娜
地址: 230039*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效率 h7 单相 隔离 并网 逆变器
【权利要求书】:

1.一种高效率H7型单相非隔离并网逆变器,其特征在于:由七个开关管S1-S7、滤波模块以及调制电路模块组成;

其中,开关管S1的漏极和开关管S2的漏极相连并连接至直流侧正端,开关管S1的源极和开关管S7的漏极相连并连接到开关管S5的漏极,开关管S7的源极和开关管S2的源极相连并连接到开关管S6的漏极,开关管S5的源极和开关管S3的漏极相连并与交流侧的一端相连,开关管S6的源极和开关管S4的漏极相连并连接到交流侧的另外一端,开关管S3的源极和开关管S4的源极相连并且连接到直流侧的负端;

所述滤波模块连接在开关管S5的源极和交流侧;

所述调制电路模块为CPLD控制器,开关管S1、S4的栅极接到由正弦波和三角波比较得出的驱动信号输出端,开关管S2、S3的栅极接到由相位相差180度的正弦波和同一个三角波比较得出的驱动信号输出端;开关管S5栅极接到在交流侧正半周为1,负半周由开关管S2、S3驱动信号经过非运算得到的驱动信号输出端;开关管S6的栅极接到在交流侧正半周由开关管S1、S4驱动信号经过非运算得到,负半周恒为1的驱动信号输出端;开关管S7的栅极接到分别由开关管S5负半周驱动信号和开关管S6正半周驱动信号进行与运算得到的驱动信号输出端。

2.如权利要求1所述的一种高效率H7型单相非隔离并网逆变器,其特征在于:所述开关管S1-S7采用N沟道增强型MOSFET。

3.如权利要求1所述的一种高效率H7型单相非隔离并网逆变器,其特征在于:所述开关管S1-S7的漏极和源极都连接一个续流二极管。

4.如权利要求1所述的一种高效率H7型单相非隔离并网逆变器,其特征在于:所述滤波模块为电感L1、电容C1、电感L2依次串联连接。

5.如权利要求1所述的一种高效率H7型单相非隔离并网逆变器,其特征在于:所述CPLD控制器采用MAX7000S。

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