[实用新型]一种微电子过温过流保护元件

权利要求书

1.一种微电子过温过流保护元件，其特征在于：包括MOS管和温度采样支路，所述MOS管与被保护器件串联，所述温度采样支路与所述MOS管、被保护器件相并联，且所述MOS管与所述温度采样支路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种微电子过温过流保护元件，其特征在于：所述温度采样支路包括限温电阻和感温元件，所述限温电阻与所述感温元件相互串联，且所述MOS管的栅极连接于所述限温电阻、感温元件之间或所述限温电阻上。

3.根据权利要求2所述的一种微电子过温过流保护元件，其特征在于：所述感温元件为跳变二极管。

4.根据权利要求2所述的一种微电子过温过流保护元件，其特征在于：所述感温元件为测温二极管。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种微电子过温过流保护元件，其特征在于：所述MOS管为N沟道增强型场效应晶体管、N沟道耗尽型场效应晶体管、P沟道增强型场效应晶体管、P沟道耗尽型场效应晶体管中的任一种。