[实用新型]轧机可控硅阻容吸收的放大和保护电路有效
申请号: | 201520485730.5 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN204761025U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 吴兆宜 | 申请(专利权)人: | 江门市华睦五金有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H01L27/02 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 冯剑明 |
地址: | 529143 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 轧机 可控硅 吸收 放大 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种轧机可控硅阻容吸收的放大和保护电路。
背景技术
目前,被钢铁企业普遍采用的1450轧机在使用过程中,轧机直流电机扩容柜频繁出现可控硅损坏的故障,技术员打开损坏的可控硅检查发现,每一次可控硅击穿的面积很小,主要损坏原因是过压导致,与过流损坏关系不大。为保护可控硅,有必要在主回路上增加保护电路。
实用新型内容
为克服现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种轧机可控硅阻容吸收的放大和保护电路。
本实用新型为解决其技术问题采用的技术方案是:
轧机可控硅阻容吸收的放大和保护电路,包括三相电源输出端0L1、0L2、0L3,以及采用三相三角形接法首尾相接的过压保护器RV1、RV2、RV3,过压保护器RV1的首端a1通过熔断器RL1、接线L1A连接三相电源输出端0L1,过压保护器RV2的首端a2通过熔断器RL2、接线L2A连接三相电源输出端0L2,过压保护器RV3的首端a3通过熔断器RL3、接线L3A连接三相电源输出端0L3;所述三相电源输出端0L1连接有阻容吸收电路1L1、1L2;三相电源输出端0L2连接有阻容吸收电路2L1、2L2;三相电源输出端0L3连接有阻容吸收电路3L1、3L2;所述阻容吸收电路1L1、1L2、1L1、2L2、3L1、3L2均包括吸收电阻和吸收电容;还包括一个电感,所述阻容吸收电路1L1通过接线L1B连接电感的正极引线;阻容吸收电路1L2通过接线L1C连接电感的负极引线;阻容吸收电路2L1通过接线L2B连接电感的正极引线;阻容吸收电路2L2通过接线L2C连接电感的负极引线;阻容吸收电路3L1通过接线L3B连接电感的正极引线;阻容吸收电路3L2通过接线L3C连接电感的负极引线;所述接线L1A与接线L1B之间、接线L1A与接线L1C之间、接线L2A与接线L2B之间、接线L2A与接线L2C之间、接线L3A与接线L3B之间、接线L3A与接线L3C之间分别连接有双向可控硅。
进一步,所述吸收电阻的阻值为50欧姆,吸收电容的电容值为1微法。
本实用新型的有益效果是:本实用新型采用的轧机可控硅阻容吸收的放大和保护电路,用三个过压保护器经过熔断器接入交流三相电源过压保护器的首尾接为三相三角形接法,组成一个三相全桥保护电路保护可控硅的过电压击穿,另外把原来三相全桥整流电路的滤波电路放大,原来的RC阻容吸收电路的吸收电阻为20欧姆、吸收电容为0.47微发,现改为吸收电阻为50欧姆、吸收电容为1微发,放大阻容吸收电路主要为降低可控硅的温度,通过以上的改造,在开机过程中检查可控硅的温度明显下降,避免了可控硅在运行过程中的损坏现象,保证了轧机的正常开机时间。
附图说明
以下结合附图和实例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
参照图1,本实用新型的一种轧机可控硅阻容吸收的放大和保护电路,包括三相电源输出端0L1、0L2、0L3,以及采用三相三角形接法首尾相接的过压保护器RV1、RV2、RV3,过压保护器RV1的首端a1通过熔断器RL1、接线L1A连接三相电源输出端0L1,过压保护器RV2的首端a2通过熔断器RL2、接线L2A连接三相电源输出端0L2,过压保护器RV3的首端a3通过熔断器RL3、接线L3A连接三相电源输出端0L3;所述三相电源输出端0L1连接有阻容吸收电路1L1、1L2;三相电源输出端0L2连接有阻容吸收电路2L1、2L2;三相电源输出端0L3连接有阻容吸收电路3L1、3L2;所述阻容吸收电路1L1、1L2、1L1、2L2、3L1、3L2均包括吸收电阻和吸收电容;还包括一个电感,所述阻容吸收电路1L1通过接线L1B连接电感的正极引线;阻容吸收电路1L2通过接线L1C连接电感的负极引线;阻容吸收电路2L1通过接线L2B连接电感的正极引线;阻容吸收电路2L2通过接线L2C连接电感的负极引线;阻容吸收电路3L1通过接线L3B连接电感的正极引线;阻容吸收电路3L2通过接线L3C连接电感的负极引线;所述接线L1A与接线L1B之间、接线L1A与接线L1C之间、接线L2A与接线L2B之间、接线L2A与接线L2C之间、接线L3A与接线L3B之间、接线L3A与接线L3C之间分别连接有双向可控硅。
进一步,所述吸收电阻的阻值为50欧姆,吸收电容的电容值为1微法。
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