[实用新型]零温度系数电流源

说明书

技术领域

本实用新型涉及电流源，尤其涉及到零温度系数电流源。

背景技术

为了减少温度对输出电流的影响，设计了零温度系数电流源。

发明内容

本实用新型旨在提供一种零温度系数电流源。

零温度系数电流源，包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三电阻和第三PMOS管：

所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极；

所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二NPN管的基极和集电极；

所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管的发射极，发射极接地；

所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极；

所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；

所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；

所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管的栅极接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；

所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第三电阻的一端；

所述第三电阻的一端接所述第三NMOS管的源极，另一端接地；

所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端IOUT，源极接电源电压VCC。

所述第一电阻、所述第一NPN管、所述第二NPN管、所述第二电阻和所述第三NPN管构成启动电路部分，从电源电压VCC依次第一电阻、所述第一NPN管、所述第二NPN管形成电流，然后通过所述第一NPN管镜像给所述第三NPN管；所述第三电阻上的电流是所述第一NMOS管的阈值电压除以所述第三电阻和所述第三NMOS管形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第三电阻就要设置负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第三电阻上的电流再通过所述第二PMOS管镜像给所述第三PMOS管电流IOUT。

附图说明

图1为本实用新型的零温度系数电流源的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。

零温度系数电流源，如图1所示，包括第一电阻101、第一NPN管102、第二NPN管103、第二电阻104、第三NPN管105、第一PMOS管106、第二PMOS管107、第一NMOS管108、第二NMOS管109、第三NMOS管110、第三电阻111和第三PMOS管112：

所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第三NPN管105的基极；

所述第一NPN管102的基极和集电极接在一起再接索萨第一电阻101的一端和所述第三NPN管105的基极，发射极接所述第二NPN管103的基极和集电极；

所述第二NPN管103的基极和集电极接在一起再接所述第一NPN管102的发射极，发射极接地；