[实用新型]一种短路保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种保护电路，具体是一种短路保护电路。

背景技术

由于电力变换装置均工作在大功率环境中，过流和短路是不可避免的，为了确保电力变换装置安全可靠地工作，有效的电流保护设计是必须的，现代电力变换装置均采用大功率半导体开关器件，其所能承受的电流过载能力相对于旋转变流装置要低得多，如IGBT一般只能承受几十个μs甚至几个μs的过载电流，一旦短路发生就要求保护电路能在尽可能短的时间内关断开关器件，切断短路电流，使开关器件不致于因过流而损坏。但是，在短路情况下迅速关断开关器件，将导致负载电流下降过快而产生过大的di/dt，由于引线电感和漏感的存在，过大的di/dt将产生很高的过电压，而使开关器件面临过压击穿的危险。对于IGBT，过高的电压又可能导致器件内部产生擎住效应失控而损坏器件。因此，必须综合考虑和设计电力变换装置短路保护，以确保电流保护的有效性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种软关断的短路保护电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种短路保护电路，包括变压器T、整流桥Q、二极管D3、二极管D4、电位器RP1、比较器U1和比较器U2，所述变压器T线圈L1串接在IGBT的集电极电路中，变压器T线圈L2两端分别连接整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接二极管D3正极、电容C1、电阻R2和电阻R3，二极管D3负极连接接地二极管D4负极，所述整流桥Q引脚4分别连接电容C1另一端、电阻R2另一端、电容C2、电位器RP1、电位器RP1滑片、二极管D2正极、比较器U1接地端、电容C3和比较器U2接地端并接地，电容C2另一端分别连接电阻R3另一端、电位器RP1另一端和比较器U1同相端，比较器U1反相端分别连接二极管D2负极、电阻R4、电阻R5和比较器U2反相端，电阻R4另一端分别连接电阻R6、比较器U2电源端、比较器U1电源端和电源VCC，电阻R6另一端分别连接比较器U1输出端和电阻R1，电阻R1另一端分别连接二极管D1负极、电容C3另一端、比较器U2同相端和电阻R7，二极管D1正极连接电阻R5另一端，所述电阻R7另一端分别连接比较器U2输出端和电阻R8，电阻R8另一端连接IGBT驱动模块。

作为本实用新型进一步的方案：所述比较器U1和比较器U2均采用LM339。

作为本实用新型进一步的方案：所述二极管D2和二极管D4均为稳压二极管。

作为本实用新型再进一步的方案：所述IGBT驱动模块采用芯片EXB841。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型短路保护电路能够在短路时对IGBT管实现软关断，安全性高，电路结构简单，非常适合推广使用。

附图说明

图1为短路保护电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型实施例中，一种短路保护电路，包括变压器T、整流桥Q、二极管D3、二极管D4、电位器RP1、比较器U1和比较器U2，变压器T线圈L1串接在IGBT的集电极电路中，变压器T线圈L2两端分别连接整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接二极管D3正极、电容C1、电阻R2和电阻R3，二极管D3负极连接接地二极管D4负极，整流桥Q引脚4分别连接电容C1另一端、电阻R2另一端、电容C2、电位器RP1、电位器RP1滑片、二极管D2正极、比较器U1接地端、电容C3和比较器U2接地端并接地，电容C2另一端分别连接电阻R3另一端、电位器RP1另一端和比较器U1同相端，比较器U1反相端分别连接二极管D2负极、电阻R4、电阻R5和比较器U2反相端，电阻R4另一端分别连接电阻R6、比较器U2电源端、比较器U1电源端和电源VCC，电阻R6另一端分别连接比较器U1输出端和电阻R1，电阻R1另一端分别连接二极管D1负极、电容C3另一端、比较器U2同相端和电阻R7，二极管D1正极连接电阻R5另一端，电阻R7另一端分别连接比较器U2输出端和电阻R8，电阻R8另一端连接IGBT驱动模块。

比较器U1和比较器U2均采用LM339。

二极管D2和二极管D4均为稳压二极管。