[实用新型]一种射频前端电路有效
申请号: | 201520329544.2 | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN204681375U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 邵一祥 | 申请(专利权)人: | 上海与德通讯技术有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 201506 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 前端 电路 | ||
1.一种射频前端电路,其特征在于,所述射频前端电路包括:射频电路、定向耦合器、天线匹配电路、功率检测电路、处理器及天线;
所述射频电路通过所述定向耦合器与所述天线匹配电路连接;所述功率检测电路与所述定向耦合器连接;所述处理器与所述功率检测电路连接;所述天线与所述天线匹配电路连接。
2.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于,所述处理器与所述天线匹配电路连接。
3.根据权利要求2所述的射频前端电路,其特征在于,所述天线匹配电路中设有用于调整天线阻抗的开关电路;
所述开关电路包括:开关及N个用于与所述开关连接的天线匹配子电路,所述N为大于或等于2的自然数。
4.根据权利要求3所述的射频前端电路,其特征在于,所述天线匹配电路为Π形。
5.根据权利要求4所述的射频前端电路,其特征在于,所述开关为二极管、三极管、集成的开关芯片或金属氧化物半导体MOS场效应晶体管。
6.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于,所述处理器与所述天线连接。
7.根据权利要求6所述的射频前端电路,其特征在于,所述天线包括天线本体及至少一个附加段,且所述天线本体与所述附加段之间设有开关。
8.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于,所述射频前端电路为移动终端的射频前端电路。
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