[实用新型]头颈部健康促进设备有效

专利信息
申请号: 201520323817.2 申请日: 2015-05-19
公开(公告)号: CN204637341U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 林招膨;李桂樑;林楷儒;林群智 申请(专利权)人: 林招膨;李桂樑;林楷儒
主分类号: A61N5/06 分类号: A61N5/06
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台湾彰*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 颈部 健康 促进 设备
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种应用远红外线或微米素光非游离辐射波,使用于头颈部的健康促进设备,尤指经由各类陶瓷粉材料产生特定远红外线或微米素光电磁波,结合负离子内衬技术,且有效微升温度的布建能量通量电路,使头颈部组织器官实时方便的接受远红外线及微米素光养生与负离子保健医疗的装置。

背景技术

远红外线使用于人体能够促进健康养身并能够活化细胞,有越来越多文献提及远红外线的上述有益效果,但是,目前远红外线仅普遍使用于桑拿浴、皮肤照射、洗肾病患瘘管照射等。远红外线使用于头颈部直接照射时,则以竹炭布织品帽子为坊间使用,然其穿透力差且活化细胞效果甚差,保温效果不良。

发射微米素光及远红外线的照射灯虽可照射头颈部,但通量及剂量不均匀,使用者使用不方便且照射时间不易维持30分钟以上,健康促进效果不好。

实用新型内容

本实用新型提供了一种头颈部健康促进装置,其形状为头盔,为一种能够随时使用及方便使用的可穿戴式微米素光、远红外线产生装置,该装置包括设置于最外层的头盔,该头盔覆盖于使用者头颈部,头盔的内层涂布有远红外线材料或微米素光材料,能够增加投入头颈部的各皮肤层的能量通量,头盔外壳的形状能够包覆头颈部重要组织,但不包覆脸部,具体的,头盔外壳包覆部分包括颈肩以上、颈后血管动静脉和颈部脊髓延伸至头部的重要穴道,头盔外壳侧部包覆耳边血管穴道。

本实用新型还包括设置于中间层的能通量单元,该能通量单元以远红外线或微米素光材料,并以能量芯片环链线路布建整个头盔包覆的头颈部,该能通量单元中还设有加温调控器,该能通量单元还包括温度提升线路,能够将特定陶瓷材料的芯片或环链包覆加热线路,均匀舒适性布满于头盔式中层。经由温度提升,增加远红外线通量,以促进细胞活化功能。

上述设置于中间层的能通量单元通过加热线路布建能量设计,以陶瓷材料覆裹加热线路,陶瓷材料可为芯片及链环状,参差布建网状于头盔中层。此加热线路串联于一温度微控电路中,连接于控制器中,使用者可调节温差及各不同穴道部位的能通量,并能控制照射时间。

本实用新型还包括设置于内层的里垫单元,该里垫单元包括两个子层,其中一子层为负离子材料布,另一子层为远红外线微米素光材料布,该两个子层皆设有网栅通能孔隙,该里垫单元靠近头颈部组织

本实用新型具有以下有益效果:实现了非游离辐射远红外线及微米素光产量,外层内壳涂布有远红外线材料,中层设有温控能量产生单元,最内层里垫经由孔洞直接入射于头颈部皮肤及组织器官位置,从而能够产生最大能通量,结合负离子实现促进人体健康的效果。

附图说明

图1为本实用新型中的头盔的侧视图。

图2为本实用新型中的头盔的正面图。

图3为本实用新型中的头盔内部材料的剖面图。

图4为本实用新型中的材料布点设置分区图。

附图标记说明:10-头盔外壳;11a-远红外线涂布颗粒;12-内层;13-通电金属加热线;14-远红外线塑型栅网;15-负离子塑型栅网;16-组织皮肤层;18-时间电路装置及控制区;19-加热区域电路装置及控制区;A-头顶中切线延伸至头后脊髓区;B1-头部侧面太阳穴及耳颈后血管淋巴区;B2-头部侧面太阳穴及耳颈后血管淋巴区。

具体实施方式

如图1、图2、图3和图4所示,本实用新型提供了形状为头盔并可穿戴于人体的头颈部健康促进装置,该头颈部健康促进装置包括头盔外壳10,头盔外壳10内层涂部或镀膜远红外线材料或微米素光材料;中层12以芯片材料或陶瓷材料覆裹加热线路,网状布建于整个头盔内,加热线路连接于一可控温差及头颈部不同位置的控制区,最内层的内衬则为网状通孔或远红外线布料及负离子布料组成。

加热线路分为三个区域,如图4所示,包含位于中间的A区和位于两侧的B 1及B2区,B1及B2区分别为太阳穴道及耳颈后动脉血管并耳后穴道区,A区为前额头部中庭切线至头后脊髓体,宽约20厘米。

上述三个区域的温度可以进行调控,温度调控范围为35℃至50℃,每个区域的可控时间为10分钟至30分钟,例如:

使用者可控制B1区温度为43℃,照射时间15分钟,然后调控B2区温度为43℃,照射时间15分钟,而后控制A区温度为45℃照射,时间20分钟。

使用者可控制A区、B 1区、B2区三个区域的温度均为44℃且照射时间均为40分钟。

使用者可控制A区的温度为45℃,照射时间为50分钟,以刺激头皮发囊细胞。

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