[实用新型]一种短弧灯电极有效
申请号: | 201520251656.0 | 申请日: | 2015-04-23 |
公开(公告)号: | CN204732377U | 公开(公告)日: | 2015-10-28 |
发明(设计)人: | 蔡志国;尤玉龙;农远峰;谭翠丽 | 申请(专利权)人: | 深圳凯世光研股份有限公司 |
主分类号: | H01J61/04 | 分类号: | H01J61/04 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 短弧灯 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种短弧灯电极。
背景技术
短弧灯由于其高亮度、高光效、长寿命而作为较理想的特种光源,应用于各种曝光/投影装置。但是,在灯的制作过程中,发现,保证灯的高光强性能的参数和在调制状态下稳定工作及长寿命的总体要求中,各因素是相互矛盾的。如为保证发光体有高亮度,就要求把阴极的放电末端制成尖锐形状,同时极间距离要小,与此同时,由于电极的烧损又会使等的寿命缩短。因此,研发稳定性高同时光强高并且长寿命的电极,是研发人员的主要目标。
现有技术中公开了一种“放电灯”,公开号为101271819,公开日为20080924的日本专利,公开了一种放电灯,在放电灯的阳极表面上设置了散热结构来增加阳极的表面积,该散热结构由与轴相垂直的环状的多个平行槽构成,槽的截面积为V字形且具有阶梯状的侧面。该专利中阳极的结构能够保持电极的散热结构的强度,并同时提高散热效果,却由于其只考虑到散热问题,而在灯启动时容易分散电极尖端热量,耗费了能量。
实用新型内容
本实用新型主要解决的技术问题是提供一种电极,能够提高电极的发射效率,使得电极尖端的热量更加的有效利用起来。
本实用新型是通过以下技术方案来解决上述问题的:一种短弧灯电极,所述短弧灯电极的阴极包括一个圆柱形的发弧本体,所述发弧本体的前端设置有凸出部,所述凸出部与所述发弧本体的连接部设置有凹部。
优选地,所述凹部设置为环形凹部。
优选地,所述凹部的横截面为V形或U形。
优选地,所述凹部呈现至少两个梯级。
优选地,所述凹部的深度为0.2mm~1mm。
优选地,所述凹部的表面设置有刻槽。
优选地,所述刻槽与凹部横截面平行。
优选地,所述刻槽沿凹部的一端至凹部的另一端纵向排列。
优选地,所述刻槽设置为不规则形状。
本实用新型的积极进步效果在于:一种短弧灯电极,所述阴极包括一个圆柱形的发 弧本体,所述发弧本体的前端设置有凸出部,所述凸出部与所述发弧本体的连接部设置有凹部。通过本实用新型短弧灯电极的凸出部与发弧本体的连接部设置的凹部,使得短弧灯在启动时,能使热量有效集中在发弧本体凸出部,降低热量向发弧本体尾部传递的速度,提高发射效率,降低灯的启动电压。
附图说明
图1为本实用新型短弧灯电极具有凹部的发弧本体的结构
图2为梯级状凹部的发弧本体结构
图3为刻槽与凹部横截面平行的发弧本体结构
图4为刻槽沿凹部的一端至凹部的另一端纵向排列的发弧本体结构
图5为具有刻槽的梯级状凹部的发弧本体结构
图中:1发弧本体,2凸出部,3凹部,4刻槽
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例1:
如图1所示,一种短弧灯电极,短弧灯电极的阴极包括一个圆柱形的发弧本体,发弧本体的前端设置有凸出部,凸出部与所述发弧本体的连接部设置有凹部。设置有凹部,在短弧灯启动时,能使热量有效集中在发弧本体凸出部,降低热量向发弧本体尾部传递的速度,提高发射效率,降低灯的启动电压。
进一步地,将凹部设置为环形凹部。
进一步地,凹部的横截面为V形或U形。
进一步地,如图2,凹部呈现至少两个梯级甚至多个梯级。
进一步地,凹部的深度为0.2mm~1mm。
实施例2:
在实施例1的基础上,凹部的表面设置有刻槽。灯启动以后,其发弧本体凸出部需要散热,设置有刻槽,增加了电极的表面积,其散热面积也增大,散热速度快,抑制了电极蒸发过快的问题,进而提高了灯的寿命。同时,设置凹部及刻槽,使热量从发弧本体凸出部传递到电极尾部的速度降低,使得热量集中在发弧本体尖端,尖端温度上升较快,提高了阴极发弧本体尖端的发射效率,从而可以减低灯的启动电压。
进一步地,如图3,刻槽可以设置为横向排列的方式,与凹部横截面平行,也可以如 图4的方式,刻槽沿凹部的一端至凹部的另一端纵向排列,也可以以图5的方式,刻槽刻在梯级上,也可以将刻槽设置为其他的形状。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
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