[实用新型]DC-DC升压模块过压保护电路有效
| 申请号： | 201520220839.6 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN204578362U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 朱波;李海著;董春波;陈雁 | 申请（专利权）人： | 无锡新硅微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07;H02H7/12 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dc 升压 模块 保护 电路 | ||
1.一种DC-DC升压模块过压保护电路，其特征在于，包括PMOS管M1-M4、M13-M15，NMOS管M5-M12，电容C1、C2、CBST、CGD4，电阻R1-R5，二极管D1以及比较器CMP；
PMOS管M14和PMOS管M13的源极接信号输入端，PMOS管M14和PMOS管M13的栅极共接于PMOS管M14的漏极和NMOS管M11的漏极，PMOS管M13的漏极与NMOS管M12的漏极相连，NMOS管M11和NMOS管M12的栅极接正电压，NMOS管M11的源极与NMOS管M9的漏极相连，NMOS管M12的源极与NMOS管M10的漏极相连，NMOS管M10的栅极接2.4V基准，NMOS管M9和NMOS管M10的源极共接于NMOS管M8的漏极，NMOS管M8和NMOS管M7的栅极接偏置电压，NMOS管M8和NMOS管M7的源极接公共地端，NMOS管M7的漏极与NMOS管M6的源极相连，NMOS管M6的漏极共接于电阻R4的一端和PMOS管M15的栅极，电阻R4的另一端和PMOS管M15的源极接信号输入端，PMOS管M15的漏极共接于PMOS管M13的漏极、NMOS管M12的漏极以及PMOS管M3的栅极，PMOS管M3的源极接信号输入端，PMOS管M3的漏极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极共接于PMOS管M1的源极和PMOS管M2的源极，PMOS管M1和PMOS管M2的栅极共接于PMOS管M1的漏极和电阻R1的一端，电阻R1的另一端与PMOS管M4的栅极相连，PMOS管M4的源极与PMOS管M2的漏极相连，PMOS管M4的漏极与NMOS管M5的漏极相连，NMOS管M5的栅极接正电压，NMOS管M5的源极共接于NMOS管M9的栅极和电阻R3的一端，电阻R3的另一端与电阻R2的一端和电阻R5的一端相连，电阻R2的另一端接公共地端，电阻R5的另一端接比较器CMP的第一输入端，比较器CMP的第二和第三输入端分别接第一参考电压和第二参考电压，比较器CMP的输出端与NMOS管M6的栅极相连，电容CBST连接在二极管D1的负极和PMOS管M4的栅极之间，并在两端产生BST-SW电压；电容CGD4连接在PMOS管M4的栅极和漏极之间，电容C1连接在NMOS管M5的源极和公共地端之间，电容C2连接在比较器CMP的第一输入端和公共地端之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新硅微电子有限公司，未经无锡新硅微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520220839.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
