[实用新型]一种智能通用调光器有效

专利信息
申请号: 201520177076.1 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN204465994U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 丁武锋;马如明;杨毅;王伟江 申请(专利权)人: 南京天溯自动化控制系统有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 江苏银创律师事务所 32242 代理人: 孙计良
地址: 210019 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 智能 通用 调光器
【权利要求书】:

1.一种智能通用调光器,其特征在于,包括市电接口、负载接口、调光电路、电流过零点检测电路、电压过零点检测电路和控制器;所述调光电路连接在所述市电接口和负载接口的火线上,控制端连接所述控制器,用于通过控制器控制其每个市电周期内的导通时间和区间,实现对负载设备的调控;所述电流过零点检测电路连接所述调光电路,并通过信号线连接所述控制器,用于采集市电火线上的电流过零点信号输入至所述控制器;所述电压过零点检测电路连接所述市电接口的火线和零线,并通过信号线连接所述控制器,用于采集电压过零点信号输入至所述控制器;所述控制器用于通过对所述电流过零点信号和电压过零点信号分析,判断当前连接在负载接口上的设备属于容性设备还是属于感性设备,当连接在负载接口上的设备属于感性设备时采用前沿切相的方式控制所述调光电路,否则采用后沿切相的方式控制所述调光电路。

2.如权利要求1所述的智能通用调光器,其特征在于,所述调光电路包括负半周输出控制MOS管、负半周栅极驱动MOS管、正半周输出控制MOS管、正半周栅极驱动MOS管、负半周采样电阻、正半周采样电阻、负半周保护电阻和正半周保护电阻;所述负半周输出控制MOS管的漏极连接所述负载接口的火线;所述负半周输出控制MOS管的源极连接负半周采样电阻再经正半周采样电阻连接所述正半周输出控制MOS管的源极;所述正半周输出控制MOS管的漏极连接所述市电接口的火线;所述负半周采样电阻和正半周采样电阻的中间接地;所述负半周输出控制MOS管的栅极通过负半周保护电阻连接驱动电源;所述正半周输出控制MOS管的栅极通过正半周保护电阻连接驱动电源;所述负半周栅极驱动MOS管的漏极与所述负半周输出控制MOS管的栅极相连;所述正半周栅极驱动MOS管的漏极与所述正半周输出控制MOS管的栅极相连;所述负半周栅极驱动MOS管的源极和正半周栅极驱动MOS管的源极接地;所述负半周栅极驱动MOS管的栅极和正半周栅极驱动MOS管的栅极通过控制线连接所述控制器;正半周输出控制MOS管的源级作为正半周输出采样端;负半周输出控制MOS管的源级作为负半周输出采样端;所述电流过零点检测电路包括电压比较器;所述正半周输出采样端和负半周输出采样端分别连接所述电压比较器的输入端;所述电压比较器的输出端连接所述控制器。

3.如权利要求2所述的智能通用调光器,其特征在于,所述电压过零点检测电路包括:光电耦合器、光耦保护电阻、光耦保护二极管、输出限流电阻;所述光电耦合器的发光二极管通过光耦保护电阻连接在所述市电接口的火线和零线之间;所述光耦保护二极管与所述光电耦合器的发光二极管极性相反的并联;所述光电耦合器的次级三极管的集电极通过输出限流电阻连接驱动电源;所述光电耦合器的次级三极管的发射极接地;所述光电耦合器的次级三极管的集电极接出用于连接所述控制器的输出端口。

4.如权利要求3所述的智能通用调光器,其特征在于,所述用于连接所述控制器的输出端口与地之间还连接有滤波电容。

5.如权利要求2所述的智能通用调光器,其特征在于,它还包括短路控制电路;所述调光电路还包括负半周短路控制MOS管、正半周短路控制MOS管;所述负半周短路控制MOS管的漏极与所述负半周输出控制MOS管的栅极相连;所述正半周短路控制MOS管的漏极与所述正半周输出控制MOS管的栅极相连;所述负半周短路控制MOS管的源极和正半周短路控制MOS管的源极接地;所述短路控制电路包括输入端、输出端、参考电压产生电路和短路比较器电路;所述短路控制电路的输入端和所述参考电压产生电路的输出端连接所述短路比较器电路的输入端;所述短路比较器电路的输出端为所述短路控制电路的输出端;所述短路控制电路有两个;所述两个短路控制电路分别为负半周短路控制电路和正半周短路控制电路;所述负半周短路控制电路的输入端连接所述负半周输出采样端;所述负半周短路控制电路的输出端连接所述负半周短路控制MOS管的栅极;所述正半周短路控制电路的输入端连接所述正半周输出采样端;所述正半周短路控制电路的输出端连接所述正半周短路控制MOS管的栅极。

6.如权利要求5所述的智能通用调光器,其特征在于,所述负半周短路控制电路的输出端和所述正半周短路控制电路的输出端还分别连接所述控制器。

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