[实用新型]一种上胶机

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种涂胶机。

背景技术

半导体制程中，通常使用光刻胶或光阻（英文为Photoresist，简称PR）作为掩膜层，进而采用光刻、显影工艺技术将目的图案转移到半导体元件上，形成表面带有微图形结构的晶圆。其中，将光刻胶采用上胶机均匀涂布到晶圆表面的过程即为上胶（英文为Coating）过程。

现有的上胶过程通常采用旋转式的上胶机，如图1所示，晶圆1放置于承载座2上，承载座2与旋转轴7固定连接，旋转轴7与第一驱动装置8连接，上胶机还包括喷嘴3，用于向晶圆1上喷吐光刻胶。进行上胶时，喷嘴3移动至晶圆1的正上方，将光刻胶喷吐至晶圆1的中心，第一驱动装置8带动旋转轴7旋转进而使承载座2上的晶圆1旋转，通过离心力使光刻胶均匀地涂布在晶圆1的表面。承载座2四周设置有环形的保护罩4，以阻挡晶圆1转动时光刻胶飞溅出上胶机。承载座2的侧下方设置有清洗装置5，用以清洗晶圆1的正面流至背面的多余光刻胶。

在现有的涂胶机使用时，90%以上涂布在晶圆1上的光刻胶都在旋转过程中被高速甩出到保护罩4内，同时涂胶背洗废液也排放到保护罩4内，两种溶液的混合形成废弃物导致光刻胶无法回收再利用，大量排出的光刻胶不仅污染环境，而且还造成光刻胶的浪费，使光刻胶的使用率低，增加了生产半导体元件的成本。

发明内容

为解决以上现有技术的不足，本实用新型提供一种上胶机，使被高速甩出的光刻胶和背洗液分开回收，提高光刻胶的利用率。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种上胶机，包括：承载座，用于承载晶圆并带动所述晶圆转动；第一驱动装置，驱动承载座的升降和旋转；喷嘴，设置于所述承载座上方；保护罩，环绕所述承载座设置；清洗装置，设置于所述承载座下方；回收装置，位于所述承载座下方。

其中，所述保护罩包括第一保护罩以及设置于所述第一保护罩上部外周并与第一保护罩连接的第二保护罩。

优选的，所述回收装置包括分别与所述第一保护罩和第二保护罩位置对应的第一回收装置和第二回收装置。

优选的，所述第一保护罩和第二保护罩为固定连接式或方便拆卸清洗的可拆卸式。 

优选的，所述第一保护罩上部设置有保护盖。

优选的，所述第二保护罩上部设置有保护盖。

优选的，所述保护盖为可使晶圆穿过的中空环形结构。

优选的，所述保护盖由多个保护板拼接组成，形成封闭结构的保护盖，所述多个保护板为活动连接，相对于所述第一保护罩和第二保护罩可自由伸缩，所述保护板的形状为方形、三角形、环形、扇形或不规则形中的任意一种。

优选的，所述保护盖连接有感应器和第二驱动装置，所述感应器用于感应晶圆的位置，所述第二驱动装置用于控制保护板的伸缩状态，使晶圆可顺利穿过所述保护盖，所述感应器和第二驱动装置的数目均至少为1个。

相较于现有技术，本实用新型将保护罩设置为包括第一保护罩以及设置于所述第一保护罩上部外周并与第一保护罩连接的第二保护罩，被离心甩出的多余光刻胶飞溅到第一保护罩内进而进行回收，背洗后的背洗液进入第二保护罩进而排放，通过分别回收光刻胶和背洗液，实现光刻胶的回收再利用，提高光刻胶的利用率。尤其通过在第一保护罩和第二保护罩的上部增加封闭结构的保护盖，降低了光刻胶被空气污染的程度，利于光刻胶的回收再利用。

附图说明

图1 为现有技术中上胶机的侧视图。

图2 为本实用新型之实施例1中上胶机的侧视图。

图3为本实用新型之实施例1中上胶机的俯视图。

图4为承载座的俯视结构示意图。

图5为本实用新型之实施例2中上胶机的侧视图。

图6为中空环形结构的保护盖俯视图。

图7为封闭结构的保护盖俯视图。

附图标注：1：晶圆；2：承载座；21：真空孔；3：喷嘴；4：保护罩；41：第一保护罩；42：第二保护罩；5：清洗装置；51：清洗喷嘴；6：回收装置；61：第一回收装置62：第二回收装置；7：旋转轴；8：第一驱动装置；9：真空管；10：保护盖；100：中空环形结构；101：保护板；11：感应器；12：第二驱动装置。

具体实施方式