[实用新型]一种分离式被动调Q紫外光激光器有效
申请号: | 201520146614.0 | 申请日: | 2015-03-13 |
公开(公告)号: | CN204464748U | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 李斌;孙冰 | 申请(专利权)人: | 李斌;孙冰 |
主分类号: | H01S3/0941 | 分类号: | H01S3/0941;H01S3/11 |
代理公司: | 北京工信联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11266 | 代理人: | 姜丽辉 |
地址: | 300000 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分离 被动 紫外光 激光器 | ||
1.一种分离式被动调Q紫外光激光器,包括泵浦系统,其特征在于,所述泵浦系统还耦合有与其分离设置的激光头,所述激光头依次包括光耦合的准直镜、聚焦镜、谐振腔、二倍频晶体和三倍频晶体;所述泵浦系统包括泵浦源,给泵浦源供电的驱动源;所述泵浦源通过传能光纤与所述准直镜光耦合。
2.如权利要求1所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述驱动源、泵浦源安装于泵浦系统中,为一整体;所述准直镜、聚焦镜、谐振腔、二倍频晶体和三倍频晶体集成在同一壳体内;所述谐振腔从聚焦镜一侧起,依次包括光耦合的反射镜、增益组件、被动调Q晶体和输出镜;由反射镜和输出镜构成的谐振腔为稳定腔;所述输出镜的出光面与所述二倍频晶体耦合。
3.如权利要求2所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述增益组件包括采用各项同性、高上能级寿命和高储能材质的第一增益晶体和采用具备偏振特性材质的第二增益晶体;所述第一增益晶体和第二增益晶体光耦合。
4.根据权利要求3所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述第一增益晶体为Nd:YAG晶体或Nd:YAG陶瓷晶体或YAG与Nd:YAG的键合或胶合的晶体,第二增益晶体为Nd:YVO4晶体或YVO4与Nd:YVO4的键合或胶合的晶体;或者,第一增益晶体为Nd:YVO4晶体或YVO4与Nd:YVO4的键合或胶合的晶体,第二增益晶体为Nd:YAG晶体或Nd:YAG陶瓷晶体或YAG与Nd:YAG的键合或胶合的晶体,第一增益晶体的出光面相距第二增益晶体的入光面距离小于10mm。
5.根据权利要求2所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述被动调Q晶体为Cr:YAG、V:YAG、半导体饱和吸收体、石墨烯中的任意一种,被动调Q晶体的初始透过率为10%-95%。
6.如权利要求3所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述反射镜、输出镜中至少一个为凹面镜;或者,所述第一增益晶体的入光面镀膜,形成所述反射镜;所述输出镜为凹面镜。
7.如权利要求1所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述二倍频晶体为LBO晶体、KTP晶体、BBO晶体、BiBO晶体、CLBO晶体、PPLN晶体,匹配方式可采用临界相位匹配或非临界相位匹配,三倍频晶体为LBO晶体、BBO晶体、BiBO晶体、CLBO晶体、KDP晶体,匹配方式可采用临界相位匹配或非临界相位匹配。
8.根据权利要求1所述的分离式被动调Q紫外光激光器,其特征在于,所述泵浦源为连续半导体激光器或脉冲半导体激光器,当泵浦源为光纤耦合输出的脉冲半导体激光器时,其中心波长为808nm±5nm,880nm±5nm,885nm±5nm中的一种或以上任意两种波长的组合;激光器壳体体积小于80x80x430mm3,其横截面积小于80x80mm2,长度小于430mm。
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