[实用新型]加强型无损吸收电路有效
申请号: | 201520113476.6 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN204392077U | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 刘志军;黄落城 | 申请(专利权)人: | 苏州汇川技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/34 | 分类号: | H02M1/34 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 陆军 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加强型 无损 吸收 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及吸收电路,更具体地说,涉及一种加强型无损吸收电路。
背景技术
开关电源应用于大功率场合,采用常规的RCD等吸收电路,存在吸收电路损耗太大等缺点。目前常用的做法是采用无损吸收方式;
如图1所示,图1给出了一种无损吸收电路,该电路的吸收原理是将尖峰吸收的能量存储到吸收电容中,在副边续流阶段,吸收电路电容的能量再通过电感传递到输出端。同时吸收电路连接在二极管整流电路两端,在实际PCB布线时,引线电感较小。但是该电路的缺点是尖峰抑制效果较差,尤其在输出功率较大时,尖峰抑制更不理想。
如图2所示,图2给出了另一种尖峰抑制电路,其工作原理是整流二极管上的尖峰电压通过吸收电容和二极管传递输出端,同时电容自身吸收部分能量。在整流二极管续流阶段,电容上存储的能量通过二极管释放到输出端。该电路的优点是吸收效果很好,电路简洁。
但是在实际应用中,由于各个器件之间存在距离,即存在寄生电感,故在实际应用中仍会有一定尖峰。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题在于,针对现有的吸收电路存在尖峰吸收效果较差并存在寄生参数引起的尖峰无法抑制等缺点,提出一种加强型无损吸收电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种加强型无损吸收电路,包括二极管整流单元、第一吸收单元和第二吸收单元,其中,所述二极管整流单元连接于变压器副边;所述第一吸收单元用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元的输入端连接到所述二极管整流单元的输出端;所述第二吸收单元用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元的输入端连接到第一吸收单元的输出端、输出端经由电感连接负载。
在本实用新型的加强型无损吸收电路中,所述第一吸收单元包括第五二极管、第六二极管、第七二极管、第一电容和第二电容;其中,所述第一电容和第五二极管串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间;所述第二电容和第七二极管串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间;所述第六二极管的阳极连接在第二电容和第七二极管的阴极之间、阴极连接在第五二极管的阳极和第一电容之间。
在本实用新型的加强型无损吸收电路中,所述第二吸收单元包括第七二极管、第八二极管、电感和第二电容;其中,所述第七二极管和第二电容串联连接在二极管整流单元的两个输出端之间,所述电感的第一端接于二极管整流单元的一个输出端、第二端连接负载,所述第八二极管的阳极连接到第七二极管和第二电容的连接点、阴极连接到电感的第二端。
在本实用新型的加强型无损吸收电路中,所述二极管整流单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管,所述第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管组成桥式整流电路。
在本实用新型的加强型无损吸收电路中,所述变压器的输出端与二极管整流单元的输入端相连接。
实施本实用新型的加强型无损吸收电路,具有以下有益效果:通过在大功率开关电源中采用无损吸收方式,可有效地降低和抑制整流二极管的电压尖峰。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1是现有的常规无损吸收电路示意图;
图2是现有的常规尖峰抑制电路示意图;
图3是本实用新型的加强型无损吸收电路实施例的电路示意图。
具体实施方式
为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本实用新型的具体实施方式。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
图3是本实用新型加强型无损吸收电路实施例的电路示意图。加强型无损吸收电路,包括二极管整流单元1、第一吸收单元2和第二吸收单元3,其中,二极管整流单元1连接于变压器T1副边;第一吸收单元2用于吸收寄生参数产生的电压尖峰,且该第一吸收单元2的输入端连接到所述二极管整流单元1的输出端;所述第二吸收单元3用于实现尖峰电压吸收,且该第二吸收单元3的输入端连接到第一吸收单元2的输出端、输出端经由电感L1连接负载。
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