[实用新型]低损耗电压转换电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及转换电路技术领域，尤其涉及一种低损耗电压转换电路。

背景技术

电压转换电路中，尤其在输入电路上电过程中，较高的电流变化率会使功率开关管在硬关断时承受很高的感应电压，这不但增加了功率开关管的开关损耗，而且还会导致瞬间电压超过功率开关管的安全工作区。

实用新型内容

为此，本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种低损耗电压转换电路，使其在输入电路上电过程中，有效降低功率开关管的开关损耗，并尤其适用于大功率电压转换电路。

于是，本实用新型提供了一种低损耗电压转换电路，包括：输入电路、输出电路、变压器和IGBT绝缘栅双极型晶体管，其中输入电路的电流经变压器的初级线圈与IGBT绝缘栅双极型晶体管的漏极连接， IGBT绝缘栅双极型晶体管的栅极与控制电路连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管的源极经开关b接地，同时IGBT绝缘栅双极型晶体管的源极还通过相互串联的开关a和电容C后接地，与开关a连接的电容C一端同时还与控制电路连接，电容C的另一端接地，开关a和开关b的控制端分别与控制电路连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管的栅极与IGBT绝缘栅双极型晶体管的漏极之间连接有启动电阻R，变压器的次级线圈与输出电路连接。

其中，所述控制电路包括：电压检测电路、开关c、用于控制所述开关a、开关b和开关c开闭的开关控制电路和振荡电路，电压检测电路与所述电容C的一端连接，电压检测电路的输出与开关控制电路的输入连接，开关c连接在振荡电路和所述IGBT绝缘栅双极型晶体管的栅极之间。

本实用新型所述低损耗电压转换电路，通过在变压器电路中增加IGBT绝缘栅双极型晶体管的启动电阻R、以及控制电路和与控制电路连接的开关a、开关b和电容C，不但提高了电压转换电路的工作可靠性，而且有效降低了功率开关管的开关损耗，节能效果明显。本实用新型所述电路尤其适用于大功率电压转换电路。

附图说明

图1为本实用新型实施例所述低损耗电压转换电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面，结合附图对本实用新型进行详细描述。

如图1所述，本实施例提供了一种低损耗电压转换电路，包括：输入电路的电流经变压器的初级线圈与IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）管的漏极连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管的栅极与控制电路连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管的源极经开关b接地，同时IGBT绝缘栅双极型晶体管的源极还通过相互串联的开关a和电容C后接地，与开关a连接的电容C一端同时还与控制电路连接，电容C的另一端接地，开关a和开关b的控制端分别与控制电路连接，IGBT绝缘栅双极型晶体管的栅极与IGBT绝缘栅双极型晶体管的漏极之间连接有启动电阻R，变压器的次级线圈与输出电路连接。

其中，上述控制电路包括：电压检测电路、开关c、用于控制所述开关a、开关b和开关c开闭的开关控制电路和振荡电路，电压检测电路与所述电容C的一端连接，电压检测电路的输出与开关控制电路的输入连接，开关c连接在振荡电路和所述IGBT绝缘栅双极型晶体管的栅极之间。

当输入电路上电时，开关b断开，开关a接通，输入电路的电压经过变压器的初级线圈加到IGBT晶体管的漏极上，IGBT晶体管的漏极由启动电阻R连接到IGBT晶体管的栅极上。当IGBT晶体管栅极上的电压超过IGBT晶体管的开启电压时，IGBT晶体管导通，电流经过IGBT晶体管的漏极流向源极，由于开关b是断开的，因此电流经过开关a流向电容C，电容C充电。当电容C的电压达到其设定电压时，控制电路将IGBT晶体管关断，完成输入电路的上电过程。

上电过程在控制电路中，电压检测电路检测到电容C的电压低于其设定电压时，开关控制电路输出三路开关控制信号，一路控制信号让开关c开路，一路控制信号让开关a接通，一路控制信号让开关b断开，实现电容C的充电。当电压检测电路检测到电容C的电压达到其设定电压时，开关控制电路又输出三路开关控制信号，一路控制信号让开关c接通，一路控制信号让开关a断开，一路控制信号让开关b接通，开关c接通后，内部控制电路将IGBT栅极下拉，即可实现IGBT晶体管的关闭。