[发明专利]一种偏转磁体对中调节结构

权利要求书

1.一种偏转磁体对中调节结构，适用于HL-2M托卡马克装置第1条5MW-NBI加热束线的大型偏转磁体，通过偏转磁体对中调节结构偏转系统设定比例的未中性化离子，使得这些离子进入离子吞噬器；其特征在于：包括以下部分：

(1)具有吊装导向功能和调节功能的支撑架，安装在注入器真空室内底板上，包括以下部分：

(1.1)根据安装窗口和偏转磁体理论位置，在注入器真空室内底板上焊接6块支撑架定位件，通过在6块支撑架定位件上设置的调节螺杆调节偏转磁体的水平位置，最大调节范围为10mm；

(1.2)在支撑架上设置6根通过螺纹调节高低的支撑杆，通过支撑杆调节偏转磁体的垂直位置，最大调节范围为20mm；每根支撑杆的支撑重量＞2吨；

(1.3)在支撑架上设置10根锲形导向条，用于偏转磁体吊装过程中的导向和限位，避免摆动引起的偏离支撑座；每根锲形导向条的抗水平剪切力＞10吨；

(2)具有间隙结构的吊装杆，偏转磁体在吊装过程中通过吊装杆中吊杆顶端与吊装法兰上紧贴；偏转磁体在支撑架上放置完成状态下通过吊装法兰与吊装杆之间的间隙，配合冷却水管，励磁导线真空管上的可伸缩波纹管，使得偏转磁体顶部的真空密封法兰与注入器真空室安装窗口之间实现高真空密封；具体包括：

(2.1)吊装杆包括上端的吊环和下端的吊杆，上端的吊环通过吊环法兰焊接在偏转磁体法兰的上表面上；

(2.2)吊杆包括顶端和直段，直段是圆柱状结构，直段的底端焊接在偏转磁体上；吊杆的顶端包括上部的圆柱状结构和下部的倒锥台结构，倒锥台结构的上底面直径与上部的圆柱状结构的直径相同，下底面直径与直段的直径相同；吊杆的顶端通过吊杆法兰连接在偏转磁体法兰的下表面上；

吊杆法兰的内腔包括上部的圆柱状腔体和下部的倒锥台状腔体，圆柱状腔体的内径和吊杆顶端倒锥台结构的上底面直径相配合；倒锥台状腔体的上底面直径与上部的圆柱状腔体的直径相配合，倒锥台状腔体的下底面直径与吊杆直段的直径配合，倒锥台状腔体的锥面在吊装过程中作为吊装受力锥面；

圆柱状腔体的高度＝吊杆顶端圆柱状结构的高度+吊杆间隙；在吊杆法兰的圆柱状腔体侧壁开设直径为5～6mm的真空泄气孔，真空泄气孔与圆柱状腔体底端之间的距离大于吊杆顶端圆柱状结构的高度；

(3)在偏转磁体顶部设置磁体真空密封法兰，包括冷却水水管窗口法兰，热电偶引出窗口法兰，真空隔离励磁线导管窗口法兰，束诊断窗口法兰；

设置与磁体真空密封法兰配合的通孔，通孔的直径留有系统设定的调节间隙；

分别在真空隔离励磁线导管和冷却水水管上设置波纹管，波纹管的伸缩量根据吊杆间隙设定。

2.如权利要求1所述的一种偏转磁体对中调节结构，其特征在于：吊杆间隙＝波纹管的伸缩量＝20mm。