[发明专利]全CMOS基准电流源

权利要求书

1.一种全CMOS基准电流源，其特征在于，包括用于输出基准电流I_REF的基准电流产生电路；

所述基准电流产生电路包括NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M8、第一电阻R1和第二电阻R2；

所述PMOS管M3和所述PMOS管M4构成电流镜结构，它们的栅极彼此相连，它们的源极皆连接到电源电压；

所述PMOS管M5和所述PMOS管M6构成电流镜结构，它们的栅极彼此相连，它们的源极皆连接到所述电源电压；

所述PMOS管M6和所述PMOS管M8构成电流镜结构，它们的栅极彼此相连，它们的源极皆连接到所述电源电压；

所述NMOS管M1和所述NMOS管M2构成电流镜结构，它们的栅极彼此相连，所述NMOS管M1的漏极与所述PMOS管M3的漏极相连，所述NMOS管M2的漏极与所述PMOS管M4的漏极相连，所述NMOS管M1的源极经过所述第一电阻R1接地，所述NMOS管M2的源极接地；

所述PMOS管M5的漏极经过所述第二电阻R2接地；所述PMOS管M8的漏极输出所述基准电流I_REF；

所述PMOS管M6的漏极连接到所述PMOS管M8的栅极；

还包括NMOS管M7、电容C1、第三电阻R3和第四电阻R4，所述NMOS管M7的漏极与所述PMOS管M6的漏极相连，所述NMOS管M7的源极经过所述第三电阻R3接地；所述NMOS管M7的栅极经过所述第四电阻R4和所述电容C1连接到所述PMOS管M5的漏极；

还包括启动电路，所述启动电路连接到所述PMOS管M4的栅极，用于在所述电源电压上电时对所述PMOS管M4的栅极充电，以启动所述基准电流产生电路；其中所述启动电路包括PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、第五电阻R5和第六电阻R6，所述PMOS管M9、所述PMOS管M10和所述PMOS管M11的源极连接到所述电源电压，所述PMOS管M9的栅极与漏极相连并通过所述第五电阻R5连接到所述NMOS管M12的漏极，所述NMOS管M12的栅极接VDD，所述NMOS管M12的源极接地，所述PMOS管M10的漏极通过所述第六电阻R6连接到所述PMOS管M9的漏极，所述PMOS管M10的栅极连接到所述PMOS管M4的栅极，所述PMOS管M11的栅极连接到所述PMOS管M10的漏极，所述PMOS管M11的漏极连接到所述NMOS管M2的漏极。

2.如权利要求1所述的全CMOS基准电流源，其中所述NMOS管M1的尺寸是所述NMOS管M2的尺寸的K倍；所述基准电流其中，μ_n是所述NMOS管M1、M2的电子迁移率，C_ox为所述NMOS管M1、M2的工艺参数，W/L为所述NMOS管M1、M2的尺寸宽长比，V_TH2为所述NMOS管M2的阈值电压；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值分别为R₁、R₂。

3.如权利要求2所述的全CMOS基准电流源，其中所述第一电阻R1和所述第二电阻R2皆为多晶硅电阻。