[发明专利]移位寄存器

说明书

技术领域

本发明涉及一种移位寄存器，且特别涉及一种配置于显示面板的移位寄存器。

背景技术

近年来，随着半导体科技蓬勃发展，携带型电子产品及平面显示器产品也随之兴起。而在众多平面显示器的类型当中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)基于其低电压操作、无辐射线散射、重量轻以及体积小等优点，随即已成为各显示器产品的主流。也亦因如此，无不驱使着各家厂商针对液晶显示器的开发技术要朝向更微型化及低制作成本发展。

为了要降低液晶显示器的制作成本，将原先配置于栅极驱动器内部的移位寄存器(shiftregister)转移至直接配置在液晶显示面板的玻璃基板(glasssubstrate)上。其中，在移位寄存器的操作期间输出扫描信号(如主栅极信号或次栅极信号)以开启液晶显示面板内对应的一列像素。一般而言，制作玻璃基板上的移位寄存器主要会由多颗薄膜晶体管(thinfilmtransistor，TFT)所组成，但受限于工艺的影响，薄膜晶体管的电性可能会造成移位寄存器的驱动能力不足，因此如何使薄膜晶体管构成的移位寄存器正常运作，则成为设计移位寄存器的一个重点。

发明内容

本发明提供一种移位寄存器，其降低薄膜晶体管的漏电流。

本发明的移位寄存器，包括一电压设定单元、一驱动单元、一第一控制单元、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、以及一第四晶体管。电压设定单元接收一第一栅极参考信号，以提供一端点电压。驱动单元接收端点电压及一时钟信号，以依据端点电压及时钟信号提供一主栅极信号。第一控制单元接收一第一锁存参考信号、端点电压及一第一低电压，以提供一第一控制信号。第一晶体管具有接收端点电压的一第一端、接收一电平参考信号的一第二端、以及接收第一控制信号的一控制端。第二晶体管具有耦接第一晶体管的第二端的一第一端、接收一第二低电压的一第二端、以及接收第一控制信号的一控制端。第三晶体管具有接收端点电压的一第一端、接收电平参考信号的一第二端、以及接收一第二栅极参考信号的一控制端。第四晶体管具有耦接第三晶体管的第二端的一第一端、接收第二低电压的一第二端、以及接收第二栅极参考信号的一控制端。

基于上述，本发明实施例的移位寄存器，其端点电压的放电路径是双栅极结构，并且串接的晶体管中插入一个中间电压电平，藉此降低晶体管所产生的漏电流。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为依据本发明第一实施例的移位寄存器的电路示意图。

图2为依据本发明第二实施例的移位寄存器的电路示意图。

图3为依据本发明第三实施例的移位寄存器的电路示意图。

图4为依据本发明第四实施例的移位寄存器的电路示意图。

【符号说明】

100、200、300、400：移位寄存器

110、210：压设定单元

120、220：驱动单元

130：第一控制单元

410：第二控制单元

C1：第一电容

C2：第二电容

CS1：第一控制信号

CS2：第二控制信号

Gm：主栅极信号

Gn：次栅极信号

GR1：第一栅极参考信号

GR2：第二栅极参考信号

GR3：第三栅极参考信号

HC1：时钟信号

LC1：第一锁存参考信号

LC2：第二锁存参考信号

T1～T24：晶体管

VQ：端点电压

VSS_1：第一低电压

VSS_2：第二低电压

VSS_3：第三低电压

具体实施方式

图1为依据本发明第一实施例的移位寄存器的电路示意图。请参照图1，在本实施例中移位寄存器100包括电压设定单元110、驱动单元120、第一控制单元130、及晶体管T1～T4(对应本申请第一晶体管至第四晶体管)。其中，晶体管T1～T4可以是氧化铟镓锌(Indium-Gallium-ZincOxide，IGZO)薄膜晶体管，但本发明实施例不以此为限。