[发明专利]一种热敏电阻压电石英晶体谐振器及其制作工艺在审
申请号: | 201510856844.0 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105450196A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 孔国文;梁惠萍;蒋振声;叶夏时 | 申请(专利权)人: | 应达利电子股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/19 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 王利彬 |
地址: | 518103 广东省深圳市宝安区福永*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热敏电阻 压电 石英 晶体 谐振器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于谐振器技术领域,尤其涉及一种热敏电阻压电石英晶体谐振器及其制作工艺。
背景技术
现有技术中的热敏电阻压电石英晶体谐振器和制作工艺是将热敏电阻及压电石英晶体谐振片封装在同一面的腔体内成一体化结构;或是将压电石英晶体谐振片封装在上层腔体,而热敏电阻则焊接在压电石英晶体谐振器基座的底部上而成的一体化结构。前者在加工过程中增加了压电石英晶体谐振片受污染的机会,直接影响谐振器的参数及稳定性;后者虽可解决前者的问题,但两者均存在加工困难,使生产制作这种热敏电阻压电石英晶体谐振器结构的成本升高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种结构简单、成本低且性能稳定的热敏电阻压电石英晶体谐振器及其制作工艺。
本发明是这样实现的,一种热敏电阻压电石英晶体谐振器,包括压电石英晶体谐振器以及与所述压电石英晶体谐振器进行组合电接的基片,所述基片包括金属导片、热敏电阻和绝缘胶体,所述热敏电阻电性连接所述金属导片,所述绝缘胶体将所述热敏电阻封装在所述金属导片上,所述金属导片包裹在所述绝缘胶体的表面上,并形成用于与所述压电石英晶体谐振器电性相接的导电部。
进一步地,所述热敏电阻与所述金属导片通过导电胶或锡浆连接。
进一步地,所述导电部与压电石英晶体谐振器通过导电胶或锡浆连接。
进一步地,所述压电石英晶体谐振器与基片相互对齐连接。
本发明还提供了一种如上述所述的热敏电阻压电石英晶体谐振器的制作工艺,该制作工艺包括以下步骤:
通过冲压或刻蚀或液态金属成型形成金属导片框架,所述金属导片框架上具有金属导片;
通过导电连接物质将所述热敏电阻粘接在所述金属导片框架上的金属导片的对应位置上,使所述热敏电阻和金属导片形成导通;
填充绝缘胶体,将所述热敏电阻封装在所述金属导片上;
将裸露出所述绝缘胶体的金属导片进行折弯,使所述金属导片包裹绝缘胶体,从而形成用于与压电石英晶体谐振器连接的基片;
将独立成型的基片与压电石英晶体谐振器通过导电连接物质连接,形成热敏电阻压电石英晶体谐振器。
进一步地,在冲压或刻蚀或液态金属成型形成金属导片框架的过程中,以矩阵形式形成若干个金属导片框架组,在各个金属导片框架上粘接热敏电阻,填充绝缘胶体后,从金属导片框架组中将各个封装好的金属导片分割出来。
进一步地,将裸露出所述绝缘胶体的金属导片进行折弯时,进行两次折弯,一次折弯使金属导片竖直贴设绝缘胶体的侧面,二次折弯使金属导片同时贴设绝缘胶体顶面,包裹绝缘胶体。
进一步地,所述导电连接物质为导电胶或锡浆。
进一步地,所述绝缘胶体由塑料制成。
进一步地,所述绝缘胶体的填充方式为灌胶、注塑或3D打印形成。
本发明与现有技术相比,有益效果在于:本发明是由基片的独立成型结构与独立成型的压电石英晶体谐振器进行组合连接而成的,避免了传统将热敏电阻及压电石英晶体谐振片封在同一面的腔体内成一体结构,或将压电石英晶体谐振片封装在上层腔体,而热敏电阻则焊接在压电石英晶体谐振器基座的底部上而成的一体结构所存在的加工困难的问题,其具有成本低、易加工制作且性能稳定的优点。
附图说明
图1是本发明提供的热敏电阻压电石英晶体谐振器一较佳实施例的整体结构示意图;
图2是图1所示实施例的装配分解结构示意图;
图3是图1所示实施例中的基片结构示意图;
图4是图3所示实施例基片制作工艺中的金属导片框架结构示意图;
图5是图4所示实施例金属导片框架以矩阵形式排列的结构示意图;
图6是图5所示实施例中将导电连接物质放置在金属导片框架组上对应位置后的示意图;
图7是图6所示实施例中将热敏电阻通过导电连接物质连接在金属导片框架组上对应位置后的示意图;
图8是图7所示实施例中将绝缘胶体填充在金属导片框架组上对应位置后的示意图;
图9是图8所示实施例中将填充好绝缘胶体的金属导片进行分割后的结构示意图;
图10是图9所示实施例中将金属导片进行一次折弯后的状态示意图;
图11是图10所示实施例中将金属导片进行二次折弯后形成如图3所示实施例的基片结构示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应达利电子股份有限公司,未经应达利电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510856844.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于RF开关优化的本体偏置
- 下一篇:一种两线硅麦克风放大器