[发明专利]番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法

说明书

技术领域

本发明涉及西红花脱毒试管球茎的组织培养法。

背景技术

西红花(CrocussativusL.)又名番红花、藏红花，为鸢尾科番红花属的多年生植物，是一味传统名贵中药材，同时享有世界上“最贵药用植物”、“最好染料”和“最高档香料”之美誉，具有重要的经济价值。中国药典2010年版(一部)记载西红花味甘、性平、归心、肝经；能活血化瘀，凉血，解毒，解郁安神；用于经闭癥瘕，产后瘀阻，温毒发斑，忧郁痞闷，惊悸发狂等疾病。近年来还发现西红花素具有抗癌效果。

西红花仅以柱头入药，野生资源有限，浙江建德为主要栽培产地之一，长期以来一直采用球茎繁育的无性繁殖方法进行繁殖，繁殖系数低，年繁殖率一般为1.5～2倍，阻碍了良种推广。此外因多年种植，球茎病毒病感染严重，主要为蚕豆黄花叶病毒病(Beanyellowmosaicvirus,BYMV)，导致西红花品质材种质退化、品质下降，这些因素严重影响了西红花药材产业的发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种西红花脱毒试管球茎的组织培养法，采用该方法能获得大量的西红花脱毒组培种球。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，依次包括以下步骤：

1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的西红花球茎于55～65℃的温水浸泡后进行水培催芽；培养条件为26～28℃、暗培养；

2)、待球茎的侧芽芽眼萌发且长成高度≥0.5cm时，抹下整个侧芽，将上述侧芽消毒(常规消毒)后，切取其基部(即，从基部开始切取)0.2cm～0.5cm接种到生长培养基上进行培养，从而获得无菌苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

3)、待上述无菌苗长至1.0～1.2cm高时，剥取无菌苗上的3mm～5mm茎尖分生组织，将茎尖分生组织接种到生长培养基上进行培养，从而获得茎尖分生组织诱导的苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

4)、待上述茎尖分生组织诱导的苗长到1.5cm～2.0cm高时作为植株Ⅰ；切取植株Ⅰ上叶片，提取汁液，进行菜豆黄花叶病毒(Beanyellowmosaicvirus,BYMV)颗粒检测；

如果没有检测到病毒颗粒，则进入下述步骤5)；

如果检测到病毒颗粒，从该植株Ⅰ上剥取3mm～5mm茎尖分生组织，以此替代步骤3)中的剥取自无菌苗上的3mm～5mm茎尖分生组织重复上述步骤3)，直至获得不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ为止；

5)、将步骤4)所得的不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ接种到诱导丛生芽培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

6)、待从植株Ⅰ上诱导出的丛生芽长到1.0～1.5cm高时，割取2～3株作为丛生植株Ⅱ；将上述丛生植株Ⅱ接种到增殖培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

7)、待上述植株Ⅱ长出的丛生芽长到1.0～2.0cm高，割取1～3株作为植株Ⅲ；将此植株Ⅲ接种到球茎诱导膨大培养基上进行培养，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度10～30μmolm^-2.s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行。

备注说明：上述“所需的规格”一般是指球茎直径达到≥1cm。

作为本发明的番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法的改进：所述步骤1)为将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的西红花球茎于55～65℃的温水中浸泡25～35min(较佳为30min)，随后室温晾干至球茎表面无水滴，再放入55～65℃的温水中进行浸泡；重复上述晾干、浸泡1～3次后再进行水培催芽。

作为本发明的番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法的进一步改进：