[发明专利]一种CMOS上变频无源混频器

权利要求书

1.一种CMOS上变频无源混频器，包括相互连接的开关管栅压自举电路和开关管电路，且所述开关管栅压自举电路和开关管电路连接后输出射频差分信号，所述开关管电路具有栅极，其特征在于：包括开关管栅压自举电路，所述自举电路采样所述中频差分信号，对所述中频差分信号进行处理后经过两个第一电阻为所述开关管电路的栅极提供偏置电压。

2.如权利要求1所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述偏置电压等于所述中频差分信号的共模电压与一个可编程电压之和再加上中频差分信号电压。

3.如权利要求2所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述可编程电压采用两位控制字实现可编程。

4.如权利要求2所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述自举电路包括采样电路、可编程叠加电压电路、全差分放大器及四个第二电阻，所述采样电路采样所述中频差分信号的共模电压并将所述共模电压输出至所述可编程叠加电压电路，所述可编程叠加电压电路将所述共模电压叠加所述可编程电压后得到一输出电压，所述输出电压输入至所述差分放大器，所述中频差分信号的差分两端分别经过两所述第二电阻输入至所述全差分放大器，所述全差分放大器的输入端和输出端通过两所述第二电阻连接。

5.如权利要求4所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述采样电路由两个阻值相同的第三电阻组成。

6.如权利要求4所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述全差分放大器为带共模反馈的全差分运算放大器。

7.如权利要求4所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：四个所述第二电阻阻值相同。

8.如权利要求4所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述可编程叠加电压电路包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MP1、MP2及开关Sw0、Sw1，所述共模电压输入所述MOS管MN1的栅极，所述MOS管MN1的漏极连接所述MOS管MP1的源极和所述MOS管MP2的栅极，所述MOS管MN1的源极连接所述MOS管MN2的源极和所述MOS管MN5的漏极，所述MOS管MN2的漏极连接所述MOS管MP2的源极、MOS管MN3的栅极及所述输出电压，所述MOS管MN2的栅极连接所述MOS管MN3的源极、MOS管MN6的漏极、MOS管MN7的漏极及MOS管MN8的漏极，所述MOS管MN3的漏极连接所述MOS管MP1的漏极、MOS管MP2的漏极、MOS管MN4的漏极及MOS管MN6的栅极，所述MOS管MN4的栅极和漏极连接，且所述MOS管MN4的源极连接所述MOS管MN5、MN6、MN7、MN8的源极后接地，所述MOS管MN6的漏极连接所述MOS管MN2的栅极、MOS管MN3的源极、MOS管MN7的漏极和MOS管MN8的漏极，所述开关Sw0的一端连接所述MOS管MN6的栅极和所述开关Sw1的一端，所述开关Sw0的另一端和所述开关Sw2的一端、MOS管MN8的源极连接后接地，所述开关Sw0的控制端接入控制信号ictrl0，所述开关Sw1的控制端接入控制信号ictrl1。

9.如权利要求8所述的CMOS上变频无源混频器，其特征在于：所述开关管电路包括四个MOS管M1、M2、M3、M4，所述MOS管M1的漏极连接所述MOS管M2的漏极后输出射频差分信号的正端；所述MOS管M3的漏极连接所述MOS管M4的漏极后输出射频差分信号的负端，所述MOS管M3的源极连接所述自举电路及所述MOS管M1的源极，所述MOS管M4的源极连接所述自举电路及所述MOS管M2的源极，所述MOS管M3的栅极连接所述MOS管M2的栅极，所述MOS管M4的栅极连接所述MOS管M1的栅极。