[发明专利]一种Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201510736501.0 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105405675A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吴明在;丁丽君;刘涛 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ag co oh sub 纳米 阵列 薄膜 超级 电容器 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种超级电容器负极材料及其制备方法，具体是一种Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法。
背景技术
目前，超级电容器的电极材料主要有活性炭材料、导电聚合物及其复合材料和过渡金属氧化物及其复合电极材料，但是他们自身存在的一些缺点。又由于超级电容器具有一般物理电容器无法比拟的极高的能量密度和功率密度，与电池相比其功率密度也高出很多倍，所以超级电容器一经问世便得到人们的高度重视。所以，超级电容器在消费电子、通讯、医疗器械、国防、航空航天等领域得到越来越广泛的应用，并且应用范围还在不断的扩大。因此，发展特征及性能有所改进的其它电极材料是下一步研究的关键。
发明内容
本发明的目的在于：提供了一种Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料，制备的Ag/Co(OH)2成多孔状，粒子分布均匀。
优选地，所述的Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)多孔α-Co(OH)2纳米阵列薄膜的制备
称取一定量的二价钴盐加入到去离子水中，磁力搅拌10～20分钟；称取一定量的六次甲基四胺加入到去离子水中，磁力搅拌10～20分钟；将上述两种溶液混合后，在磁力搅拌10～30分钟；将上述混合后的溶液加入到反应釜中，同时放进一片2*4cm的泡沫镍，在90℃加热3～6小时，待其降温到室温时，取出样品，将样品在温度为60℃的条件下烘干，即得到多孔α-Co(OH)2纳米阵列薄膜；
(2)Ag/Co(OH)2纳米复合材料的制备
配置一定量的硝酸银和NaHB溶液，将生长上α-Co(OH)2的泡沫镍浸渍到一定量的的硝酸银中，浸渍一定时间；再浸渍到NaHB中一定时间，重复上述步骤2～5次；
(3)Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备
将生长有Ag/Co(OH)2纳米复合材料的泡沫镍压片，真空干燥数小时，制成超级电容器电极材料。
优选地，步骤(1)中的二价钴盐为Co(NO3)2·6H2O。
优选地，所述的Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)多孔α-Co(OH)2纳米阵列薄膜的制备
称取1～5mmolCo(NO3)2·6H2O加入到20～30ml去离子水中，磁力搅拌10～20分钟；称取5～10mmol六次甲基四胺加入到20～30ml去离子水中，磁力搅拌10～20分钟；将上述两种溶液混合后，再磁力搅拌10～30分钟；将上述混合后的溶液加入到反应釜中，同时放进一片2*4cm的泡沫镍，在90℃加热3～6小时，待其降温到室温时，取出样品，然后将样品在温度约为60℃的条件下烘干，即得到多孔α-Co(OH)2纳米阵列薄膜；
(2)Ag/Co(OH)2纳米复合材料的制备
配置25～35mL4mmol/L的硝酸银溶液和25～35mL2mmol/L的NaHB溶液，在将生长上Co(OH)2的泡沫镍浸渍到硝酸银中溶液，浸渍时间为0.5～2分钟；再浸渍到NaHB溶液中0.5～2分钟；重复上述步骤2～3次，即得到Ag修饰的多孔α-Co(OH)2纳米阵列薄膜，即Ag/Co(OH)2纳米复合材料；
(3)Ag/Co(OH)2纳米阵列薄膜超级电容器电极材料的制备
将生长有Ag/Co(OH)2纳米复合材料的泡沫镍压片，盛与培养皿中，放入真空干燥箱中干燥10小时，即得到超级电容器电极材料。
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