[发明专利]一种铝电解用智能打壳控制系统

权利要求书

1.一种铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，主要由微处理器，与微处理器相连接的电源模块、信号处理模块、打壳信号输出模块和反馈信号处理模块，与信号处理模块相连接的槽控机信号输入接口，与打壳信号输出模块相连接的气缸控制模块，以及与反馈信号处理模块相连接的传感器组组成；所述信号处理模块则由选频电路，与选频电路相连接的低通滤波电路，以及同时与选频电路和低通滤波电路相连接的两级放大电路组成。

2.根据权利要求1所述的一种铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述的选频电路由三极管VT1，三极管VT2，二极管D1，二极管D2，电阻R1，电阻R2，电阻R3以及电容C1组成；所述电阻R1串接在二极管D2的P极与三极管VT1的集电极之间，所述电阻R2串接在二极管D2的P极与三极管VT1的基极之间，所述电阻R3串接在二极管D2的N极和三极管VT2的发射极之间；电容C1则串接在三极管VT2的基极和集电极之间；所述三极管VT2的基极与三极管VT1的基极相连接、其集电极则与两级放大电路相连接；所述二极管D1的N极与三极管VT1的发射极相连接、其P极则与低通滤波电路相连接；所述二极管D2的N极与两级放大电路相连接、其P极则与二极管D1的P极共同形成该信号处理模块的输入端，该输入端则与槽控机信号输入接口的输出端相连接。

3.根据权利要求2所述的一种铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述的低通滤波电路由双栅极场效应管MOS1，一端与双栅极效应管MOS1的第二栅极相连接、另一端则与二极管D1的P极相连接的电感L1，正极与双栅极场效应管MOS1的第一栅极相连接、负极则与双栅极场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C2，正极经电感L2后与双栅极场效应管MOS1的漏极相连接、负极接地的极性电容C3，以及一端与双栅极场效应管MOS1的源极相连接、另一端则与极性电容C3的负极相连接的电阻R7组成；所述双栅极场效应管MOS1的漏极则与两级放大电路相连接。

4.根据权利要求3所述的一种铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述两级放大电路由场效应管MOS2，放大器P1，放大器P2，串接在放大器P1的正极和输出端之间的二极管D3，一端与放大器P1的输出端相连接、另一端则与二极管D2的N极相连接的电阻R4，以及N极与二极管D2的N极相连接、P极则顺次经电阻R5和电阻R6后接地的二极管D4组成；所述放大器P1的正极与二极管D2的N极相连接、其负极则与三极管VT2的集电极相连接；所述场效应管MOS2的源极与放大器P1的负极相连接、其漏极则与极性电容C2的负极相连接、其栅极则与放大器P2的输出端相连接；所述放大器P2的正极与场效应管MOS2的源极相连接、其负极则与电阻R5和电阻R6的连接点相连接；所述二极管D2的N极与放大器P2的负极共同形成该信号处理模块的输出端，该输出端与微处理器相连接。

5.根据权利要求4所述的一种铝电解用智能打壳控制系统，其特征在于，所述三极管VT1和三极管VT2均为2N3905型三极管。