[发明专利]一种高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法在审
申请号: | 201510694956.0 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN105217673A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 顾达 | 申请(专利权)人: | 常山县南方碳酸钙有限公司 |
主分类号: | C01F11/18 | 分类号: | C01F11/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 吕伴 |
地址: | 324209 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 变性 硅酮 专用 纳米 活性 碳酸钙 制备 方法 | ||
1.一种高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,由以下步骤组成:
(1)在低浓度和低温下生成碳酸钙晶核;
(2)在氢氧化钙浆料中加入步骤(1)制备的碳酸钙晶核搅拌均匀后形成第一氢氧化钙混合浆料,然后再加入晶型控制剂搅拌均匀形成第二氢氧化钙混合浆料,控制第二氢氧化钙混合浆料碳化的起始温度,在搅拌下通入窑气进行碳化生成一定粒径大小和均分散的纳米碳酸钙浆料;
(3)将步骤(2)制备的纳米碳酸钙浆料在高剪切乳化机的作用下进行复合包覆处理;
(4)将包覆处理后的浆料压滤、干燥、解聚,即得粒径在110~130纳米,吸油值16~18的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙。
2.如权利要求1所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,所述在低浓度和低温下生成碳酸钙晶核是指:将精制的质量浓度3.4~3.6%的氢氧化钙浆料冷却至20℃以下,在搅拌下通入含二氧化气体的体积百分含量为28~32%的窑气,每分钟窑气的通入量为每立方米的氢氧化钙浆料量的0.2立方米进行碳化,控制碳化温度低于22℃,碳化时间为15~20分钟,生成纳米碳酸钙晶核。
3.如权利要求1所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述氢氧化钙浆料的温度为28~32℃,氢氧化钙浆料的质量浓度为10.5~11.5%。
4.如权利要求3所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述碳酸钙晶核的加入量为氢氧化钙浆料质量的25~30%。
5.如权利要求4所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述氢氧化钙混合浆料的浓度是指混合后含氢氧化钙质量为8.5~9.5%。
6.如权利要求5所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述的晶型控制剂的加入量为最终混合浆料全部生成碳酸钙质量的1.2~1.7%。
7.如权利要求6所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述晶型控制剂为乳糖与蔗糖复合晶型控制剂,乳糖与蔗糖的质量比为1﹕1。
8.如权利要求7所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述碳化的起始温度为26~28℃。
9.如权利要求8所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述窑气通入量每分钟为第二氢氧化钙混合浆料每立方米1.0立方米的窑气。
10.如权利要求9所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(2)中,所述在搅拌下通入窑气进行碳化生成一定粒径大小和均分散的纳米碳酸钙浆料是指在常温下碳化至第二氢氧化钙混合浆料的pH值降至7,再继续碳化10分钟即为碳化终点。
11.如权利要求10所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,所述纳米碳酸钙浆料的粒径为110~130纳米。
12.如权利要求1所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,所述将步骤(2)制备的纳米碳酸钙浆料在高剪切乳化机的作用下进行复合包覆处理,是指将步骤(2)制备的纳米碳酸钙浆料升温至75℃,在高剪切乳化机的作用下,加入硬脂酸与椰子油复合包覆剂进行包覆处理1小时。
13.如权利要求12所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,所述硬脂酸与椰子油复合包覆剂的加入量为步骤(2)制备的纳米碳酸钙浆料中碳酸钙总量的2.5~4.0%。
14.如权利要求13所述的高触变性硅酮胶专用纳米活性碳酸钙的制备方法,其特征在于,所述硬脂酸与椰子油复合包覆剂中硬脂酸与椰子油的质量比为1﹕0.8~1﹕1.2。
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