[发明专利]用于监测光刻机成像平面异常的方法有效
| 申请号： | 201510672885.4 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN106597811B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 邢滨;张强;郝静安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 监测 光刻 成像 平面 异常 方法 | ||
1.一种用于监测光刻机成像平面异常的方法，其特征在于，所述方法包括：
在光罩上放置监测图形，所述监测图形的工艺窗口小于所述光罩上的产品电路图形的工艺窗口；
对所述光罩上的图形进行曝光；以及
对曝光后形成的图形进行缺陷扫描，以用于基于所述缺陷扫描的结果是否存在特定分布而确定光刻机成像平面是否发生异常；
所述方法的实施无需机台暂停生产。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在光罩上放置监测图形包括：在所述光罩的两侧放置所述监测图形。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在光罩上放置监测图形还包括：在所述光罩的中间放置所述监测图形。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述监测图形对光刻机成像平面异常的灵敏度高于所述产品电路图形对光刻机成像平面异常的灵敏度。
5.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述特定分布包括曝光场重复性缺陷。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述缺陷扫描的结果显示曝光场左侧缺陷数目骤增时，确定光刻机成像平面发生异常。
7.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述监测图形通过光学邻近修正而得到。
8.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法用于监测光刻机成像平面是否发生倾斜。
9.如权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在确定光刻机成像平面发生异常后，确定所述成像平面的倾斜度并进行修正。
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