[发明专利]一种高可靠性的薄膜体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种高可靠性的薄膜体声波谐振器，其特征是，在整个衬底之上具有隔离层，衬底和隔离层之间具有从衬底上表面向下凹陷的空气腔；隔离层之上分别具有下电极、压电层和上电极；下电极与上电极的重叠区域全部在空气腔之上；上电极之上具有至少覆盖整个上电极和/或下电极的暴露部分的钝化层。

2.根据权利要求1所述的高可靠性的薄膜体声波谐振器，其特征是，下电极在除上电极引出方向以外的各个方向完整地覆盖住空气腔的边缘，但在上电极引出方向未覆盖空气腔的边缘而在空气腔的边缘以内；上电极部分地覆盖在空气腔之上。

3.根据权利要求1所述的高可靠性的薄膜体声波谐振器，其特征是，所述隔离层、钝化层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化铝中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的高可靠性的薄膜体声波谐振器，其特征是，在空气腔的中心区域新增至少一个刻蚀通道，所述刻蚀通道穿透钝化层、上电极、压电层、下电极和隔离层。

5.一种高可靠性的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤S201，在衬底的表面刻蚀出一个凹坑；

步骤S202，在衬底上淀积一层牺牲层，至少将所述凹坑填充满；

步骤S203，将牺牲层研磨至与衬底上表面齐平；

步骤S204，淀积一层隔离层，隔离层的尺寸与衬底相同；

步骤S205，生长一层金属，再将该层金属刻蚀成下电极；

步骤S206，淀积一层压电材料，再将该层压电材料刻蚀成压电层；

步骤S207，生长一层金属，再将该层金属刻蚀成上电极；下电极与上电极的重叠区域全部在空气腔之上；

步骤S208，淀积一层钝化层；

步骤S209，刻蚀压电层、或者刻蚀钝化层和压电层以暴露出牺牲层释放通道，通过该牺牲层释放通道去除全部的牺牲层，原本被牺牲层占据的部分就成为空气腔。

6.根据权利要求5所述的高可靠性的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征是，所述步骤S209中还包括在牺牲层中心区刻蚀一个底部在牺牲层中的通孔，然后通过该通孔和/或牺牲层释放通道去除全部的牺牲层。