[发明专利]一种GOA电路及液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201510632682.2 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105139820B 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 肖军城;赵莽 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 goa 电路 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,特别是涉及一种GOA电路及液晶显示器。

背景技术

Gate Driver On Array,简称GOA,也就是利用现有薄膜晶体管液晶显示器Array制程将Gate行扫描驱动信号电路制作在Array基板上,实现对Gate逐行扫描的驱动方式的一项技术。

随着低温多晶硅(LTPS)半导体薄膜晶体管的发展,而且由于LTPS半导体本身超高载流子迁移率的特性,相应的面板周边集成电路也成为大家关注的焦点,并且很多人投入到System on Panel(SOP)的相关技术研究,并逐步成为现实。

液晶显示器在开启的时候,要进行一次All Gate On的初始化操作,以将GOA电路中所有的扫描Gate信号的电压拉至一个低电平,以实现显示器的全黑或全白,保证显示画面的质量。在初始化之后,要完成正常扫描工作,Gate信号是需要在一定时期保持高电平。但是由于Gate信号的输出端自举电容单元的存在,会存在维持的问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种GOA电路及液晶显示器,能够有效避免大静电对GOA电路带来的损伤,提高整个面板GOA电路的稳定性。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种GOA电路,用于液晶显示器,所述GOA电路包括电位下拉处理电路和多个级联的GOA子电路,所述电位下拉处理电路包括第一限压晶体管(PTX)、第二滤波晶体管PT)以及第三晶体管PTN,所述第一限压晶体管PTX与所述第二滤波晶体管PTY串联后连接在初始扫描信号STV信号的输出端与所述第三晶体管PTN的控制端之间,所述第一限压晶体管PTX的控制端与所述第三晶体管PTN的第一端分别与第一电源端连接,所述第三晶体管PTN的第二端与所述GOA子电路连接。

其中,所述第二滤波晶体管PTY的第一端分别与其控制端以及所述STV信号的输出端连接,所述第二滤波晶体管PTY的第二端与所述第一限压晶体管PTX的第一端连接,所述第一限压晶体管(PTX)的第二端与所述第三晶体管PTN的控制端连接。

其中,所述第一限压晶体管PTX、所述第二滤波晶体管PTY以及所述第三晶体管PTN均为PMOS晶体管;所述第一限压晶体管PTX的第一端为源极,其第二端为漏极;所述第二滤波晶体管PTY的第一端为源极,其第二端为漏极;所述第三晶体管PTN的第一端为源极,其第二端为漏极。

其中,所述第一限压晶体管PTX、所述第三晶体管PTN和所述第二滤波晶体管PTY均为NTFT管,所述第一限压晶体管PTX的第一端为漏极,其第二端为源极;所述第二滤波晶体管PTY的第一端为漏极,其第二端为源极;所述第三晶体管PTN的第一端为漏极,其第二端为源极。

其中,所述电位下拉处理电路还包括第四晶体管PTM,所述第四晶体管PTM的第一端与所述第三晶体管PTN的第二端连接,所述第四晶体管PTM的控制端与所述述第四晶体管PTM的第一端连接,所述第四晶体管PTM的第二端与所述GOA子电路连接;其中,所述第四晶体管(PTM)与所述第三晶体管PTN的类型相同。

其中,所述电位下拉处理电路还包括第四晶体管PTM,所述第四晶体管PTM的第一端与所述第一电源端连接,其控制端与所述第一端连接,其第二端与所述第三晶体管PTN的第一端连接;其中,所述第四晶体管PTM与所述第三晶体管PTN的类型相同。

其中,所述第一限压晶体管PTX的第一端与所述STV信号的输出端连接,所述第一限压晶体管PTX的第二端与所述第二滤波晶体管PTY的第一端连接,所述第二滤波晶体管PTY的控制端与所述第二滤波晶体管PTY的第一端连接,所述第二滤波晶体管PTY的第二端与所述第三晶体管PTN的控制端连接。

其中,所述电位下拉处理电路的所述第三晶体管PTN的第二端与所述COA电路的第三级至最后一级的每个所述GOA子电路分别连接。

其中,所述GOA电路包括多个所述电位下拉处理电路,每个所述电位下拉处理电路的第三晶体管PTN的第二端与所述GOA电路的第三级至最后一级的GOA电路一一对应连接。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种液晶显示器,包括阵列基板、彩膜基板以及设置在所述阵列基板以及所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板包括上述任意实施方式所述的GOA电路。所述阵列基板包括上述任一项所述的GOA电路。

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