[发明专利]放大版图接触孔间距的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种放大版图接触孔间距的方法。

背景技术

现有放大版图接触孔(Contact)间距(space)的方法往往采用手动调节，如现有95nm工艺版图库需要放大原有90nm工艺版图库的Contact space，采用现有手动调整的方法非常浪费时间，也容易画错。因为，工艺越进步，物理版图数据的规模就越大，一个IP版图数据里往往有着几万个Contact数据。如果将0.16微米的间距放大到0.18微米，则需要手动修改几万个Contact，这个手动是无法快速完成的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种放大版图接触孔间距的方法，能实现设计自动化、提高工作效率，还能实现部分版图数据重复再利用。

为解决上述技术问题，本发明提供的放大版图接触孔间距的方法的版图数据为分层结构，从顶层依次向下到最底层的每一层都包括各层所对应的版图数据，令各层所对应的版图数据为层版图数据，对各所述层版图数据进行接触孔间距放大的方法都包括如下步骤：

步骤一、根据接触孔的分布对所述层版图数据进行区块划分得到所述层版图数据的各区块数据。

步骤二、针对所述层版图数据的每一个区块数据，采用如下步骤对所述层版图数据的所述区块数据进行接触孔的移动和计算：

步骤21、抽取所述层版图数据的所述区块数据的最小包围矩形。

步骤22、选取所述最小包围矩形的四个顶点，依次以该四个顶点中的一个为基准点对所述区块内的所述接触孔进行间距放大的移动并同时计算移动后依然完全位于所述区块中的接触孔的个数，选择四个顶点中移动后接触孔的个数最多的顶点作为所述区块的最终基准点，以所述最终基准点为基准对所述区块内的接触孔进行间距放大的移动从而得到接触孔间距放大后的所述区块数据。

步骤三、将步骤二中所述层版图数据的接触孔间距放大后的各所述区块数据合并形成接触孔间距放大后的所述层版图数据。

进一步的改进是，放大版图接触孔间距的方法包括如下步骤：

步骤11、从所述版图数据的顶层依次向下寻找，直到得到最底层版图数据；

步骤12、从所述最底层版图数据开始依次采用步骤一至步骤三对各所述层版图数据进行接触孔间距放大并得到接触孔间距放大后的所述层版图数据；

步骤13、将接触孔间距放大后的各所述层版图数据从最底层合并到顶层得到接触孔间距放大后的最终版图数据。

进一步的改进是，步骤一中的所述区块内包括多个等间距排列的接触孔组成的阵列，所述区块将其内部的所述接触孔阵列完全包围。

进一步的改进是，当所述接触孔阵列中每一行所对应各列上都具有接触孔时，所述区块呈矩形结构。

进一步的改进是，呈矩形结构的所述区块所对应的所述最小包围矩形完全位于所述区块内部，且所述最小包围矩形的各边和所述区块各边平行。

进一步的改进是，当所述接触孔阵列中每一行所对应各列上接触孔的数目不相等时，所述区块在所述接触孔阵列中缺省接触孔的位置处进行相应的缩减。

进一步的改进是，所述接触孔阵列中具有缺省接触孔所对应的所述区块所对应的所述最小包围矩形部分顶点位于所述区块的内部或外部。

本发明能根据设计规选择最优化的移位方式对已有版图数据进行接触孔的移动来实现接触孔的间距放大，能实现在局部区域的接触孔数目最大话；能实现设计自动化，减少人工版图的工作量，从而能提高工作效率以及减少出错率，能实现部分版图数据重复再利用。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明实施例放大版图接触孔间距的方法的流程图；

图2是本发明实施例方法的区块划分示意图；

图3是本发明实施例方法的区块的最小包围矩形示意图；

图4A-图4D是本发明实施例方法中分别以图3中的四个顶点为基准点对接触孔进行间距放大的移动后的示意图。

具体实施方式

如图1所示，是本发明实施例放大版图接触孔103间距的方法的流程图；如图2所示，是本发明实施例方法的区块102划分示意图；如图3所示，是本发明实施例方法的区块102的最小包围矩形示意图；本发明实施例方法包括如下步骤：

步骤11、从版图数据的顶层依次向下寻找，直到得到最底层版图数据101；版图数据为分层结构，从顶层依次向下到最底层的每一层都包括各层所对应的版图数据，令各层所对应的版图数据为层版图数据101。