[发明专利]伽马射线检测器和检测伽马射线的方法

权利要求书

1.一种伽马射线检测器，包括：

转换器元件，其被配置成当伽马射线至少部分地移动通过转换器元件时释放电子；

半导体检测器，其被布置成接收电子并被配置成当电子至少部分地移动通过半导体检测器时产生信号；

放大器电路，其被耦合到半导体检测器并被配置成将由半导体检测器产生的信号放大；以及

屏蔽，其基本上完全地围绕半导体检测器和放大器电路，

其中，转换器元件形成屏蔽的至少一部分。

2.权利要求1的伽马射线检测器，

其中半导体检测器包括：

至少一个p掺杂区；

至少一个n掺杂区；

至少一个中间区，其将所述至少一个p掺杂区与所述至少一个n掺杂区分离，其中，所述至少一个中间区具有比至少一个p掺杂区和至少一个n掺杂区更低的掺杂剂浓度；

至少一个第一电极，其电接触所述至少一个p掺杂区；以及

至少一个第二电极，其电接触所述至少一个n掺杂区。

3.权利要求1的伽马射线检测器，

其中，转换器元件邻近于半导体检测器的至少一个表面。

4.权利要求2的伽马射线检测器，

其中，中间区是本征区。

5.权利要求2的伽马射线检测器，

其中中间区是n掺杂区。

6.权利要求2的伽马射线检测器，还包括：

电源，其被配置成向第一电极供应第一供应电压并向第二电极供应第二供应电压，其中第二供应电压高于第一供应电压。

7.权利要求6的伽马射线检测器，

其中，第一和第二电极之间的电压差异在5V以下。

8.权利要求1的伽马射线检测器，

其中转换器元件包括重金属或重金属的氧化物。

9.权利要求1的伽马射线检测器，

其中，转换器元件包括一组材料中的至少一个材料，该组由以下各项组成：

铅；

钨；

钼；

金；

铅金合金；

钨镍合金；以及

上述材料的氧化物。

10.权利要求1的伽马射线检测器，

其中转换器元件沿着半导体检测器和放大器电路的至少两个侧面延伸。

11.权利要求1的伽马射线检测器，

其中转换器元件形成完全的屏蔽。

12.权利要求1的伽马射线检测器，

其中半导体检测器包括多个检测器段。

13.权利要求12的伽马射线检测器，

其中转换器元件的至少一部分被设置在检测器段之间。

14.权利要求1的伽马射线检测器，

其中半导体检测器包括一组材料中的至少一个材料，该组由以下各项组成：

硅；

锗；

III-V化合物半导体；

II-VI化合物半导体；以及

IV-IV化合物半导体。

15.权利要求1的伽马射线检测器，

其中半导体检测器被配置为芯片。

16.一种伽马射线检测器，包括：

转换器元件，被配置成由入射伽马辐射生成康普顿电子；

半导体检测器，被配置成检测康普顿电子并产生相应的检测器信号；

放大器电路，被配置成将检测器信号放大；以及

屏蔽，其基本上完全地围绕半导体检测器和放大器电路，

其中转换器元件形成屏蔽的至少一部分。

17.权利要求16的伽马射线检测器，其中转换器元件包括重金属或重金属的氧化物。

18.权利要求16的伽马射线检测器，其中转换器元件形成完全的屏蔽。

19.一种检测伽马射线的方法，该方法包括：

提供伽马射线检测器，其包括：

转换器元件，其被配置成当伽马射线至少部分地移动通过转换器元件时释放电子；和

半导体检测器，其中半导体检测器包括：

至少一个p掺杂区；

至少一个n掺杂区；

至少一个中间区，其将至少一个p掺杂区与至少一个n掺杂区分离，其中至少一个中间区具有比至少一个p掺杂区和至少一个n掺杂区更低的掺杂剂浓度；

至少一个第一电极，其电接触至少一个p掺杂区；以及

至少一个第二电极，其电接触至少一个n掺杂区；

向第一电极提供供应电压并向第二电极提供第二供应电压，其中第二供应电压高于第一供应电压，并且其中第一和第二电极之间的电压差异在5V以下；

当电子至少部分地移动通过半导体衬底时检测在半导体检测器中引起的信号。