[发明专利]一种自倍频全固态黄光激光器

权利要求书

1.一种自倍频全固态黄光激光器，包括激励源、聚焦系统、自倍频晶体、激光谐振腔，其中，所述自倍频晶体是镱离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体；

所述自倍频晶体通光方向是自倍频的相位匹配方向，即沿晶体非主平面有效非线性系数最大方向切割；

所述激励源为900-980nm的光源；

所述的激光谐振腔由输入腔镜和输出腔镜组成，输入腔镜和输出腔镜上分别有介质膜以抑制1020-1080 nm波段起振，实现从1140-1180nm波段激光起振；输出腔镜上还有对激励源光源高反射的介质膜，以增加晶体对于激励光的有效吸收；

所述自倍频激光晶体位于入射腔镜和输出腔镜之间；

通过自倍频激光晶体产生激光振荡和非线性频率转换，将激励源出射的激励光经过所述聚焦系统的准直聚焦，并通过输入腔镜注入到所述自倍频晶体中，所述自倍频晶体吸收激励光能量在所述激光谐振腔中产生基频光，基频光利用所述自倍频晶体的倍频效应进行倍频，实现570nm~590nm黄光激光输出。

2.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于所述激励源为钛宝石激光器或激光二极管激光器。

3.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，所述激励源为发射波长970-980nm的激光二极管激光器。

4.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于所述输入腔镜是输入镜镀以介质膜A形成，或者是在所述自倍频晶体的光入射端镀以介质膜A形成；所述介质膜A至少有对900-1100nm高透过的介质膜。

5.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于所述输出腔镜是输出镜镀以介质膜B形成，或者是在所述自倍频晶体的光出射端镀以介质膜B形成；所述介质膜B至少有对980-1100nm高透过、对900-980nm高反射的介质膜。

6.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于输入腔镜还需镀以对1100-1200 nm和555 nm-600 nm高反射的介质膜，输出腔镜镀以对1100-1200 nm高反射且对555 nm-600 nm高反射的介质膜；以实现黄光波段有效输出，减少对激励光的损耗。

7.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，所述镱离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体选自镱掺杂硼酸钙氧钇、镱掺杂硼酸钙氧镧、镱掺杂硼酸钙氧钆中的一种，或者是镱掺杂硼酸钙氧钇、镱掺杂硼酸钙氧镧、镱掺杂硼酸钙氧钆中的2种或3种所形成的混晶。

8.如权利要求7所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，所述镱离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体的镱离子掺杂浓度为1%~50%。

9.如权利要求7所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，所述镱离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体的镱离子掺杂浓度为15%~30%。

10.如权利要求1或7所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，自倍频晶体通光面为圆柱形、长方形或其他形状，通光面抛光且镀以对振荡光和倍频光高透过的介质膜或不镀膜；自倍频晶体通光方向长度为0.5 mm~50 mm。

11.如权利要求1或7所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，自倍频晶体通光方向长度4~20 mm。

12.如权利要求1所述的自倍频全固态黄光激光器，其特征在于，所述自倍频晶体沿晶体非主平面有效非线性系数最大方向切割可用激光波长为1064 nm激光器确定，最佳相位匹配方向为：与晶体折射率最大的主轴方向Z轴为120°±10°范围且与最小的晶体折射率主轴方向X轴为-40°±10°范围。

13.一种自倍频黄光激光器，包括沿光路方向依次排列的激励源、聚焦系统、激光谐振腔，自倍频晶体在激光谐振腔内；其中，所述自倍频晶体是镱离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体，激光谐振腔由镀介质膜A的输入镜和镀介质膜B的输出镜组成，所述输入镜镀有对900-1100nm高透过且对1100-1200 nm和555 nm-600 nm高反射的介质膜A，输出镜镀有对980-1100nm高透过、对900-980nm高反射且对1100-1200 nm和555 nm-600 nm高反射的介质膜B。

14.一种自倍频黄光激光器，包括沿光路方向依次排列的激励源、聚焦系统、激光谐振腔，自倍频晶体；其中，所述自倍频晶体是镱离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体，在自倍频晶体的入射光端镀有介质膜A，出射光端镀有介质膜B，所述介质膜A与介质膜B形成所述的激光谐振腔，所述介质膜A是对900-1100nm高透过且对1100-1200 nm和555 nm-600 nm高反射的介质膜；所述介质膜B是对980-1100nm高透过、对900-980nm高反射且对1100-1200 nm和555 nm-600 nm高反射的介质膜；该激光器为微片黄光激光器。