[发明专利]一种用于感测电流的方法、电流传感器及系统有效
| 申请号： | 201510533048.3 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105388350B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·H·伊山;汤玛士·海斯;安德鲁·L·威伯;朱立欧·雷耶斯 | 申请（专利权）人： | 英特希尔美国公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R19/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 电流 方法 电流传感器 系统 | ||
1.一种用于感测电流的方法，其特征在于，包含：
由温度传感器量测MOS晶体管开关的一大致温度产生所量测温度；
使用所储存的温度传感器增益及偏移修正函数通过所述所量测温度计算经修正温度；
量测所述MOS晶体管的闸极驱动电压；
使用所储存的电压修正函数来计算电压修正因子，其中所述所储存的电压修正函数为所述经修正温度与所述闸极驱动电压的函数；
量测横越所述MOS晶体管开关的RDSon电压降来产生所量测RDSon电压降；及
使用所述所量测RDSon电压降及所述电压修正因子来计算所述电流。
2.如权利要求1所述的用于感测电流的方法，其特征在于，通过所述所量测温度计算经修正温度包含：使所述所量测温度乘以温度增益因子来产生一乘积，并将温度偏移因子相加至所述乘积以产生所述经修正温度，其中所述温度增益因子及所述温度偏移因子为使用所述所储存温度传感器增益及偏移修正函数以及所述所量测温度来判定。
3.如权利要求1所述的用于感测电流的方法，其特征在于，通过所述所量测温度计算经修正温度包含：将温度偏移因子相加至所述所量测温度以产生一总和，并使所述总和乘以温度增益因子以产生所述经修正温度，其中所述温度增益因子及所述温度偏移因子为使用所述所储存温度传感器增益及偏移修正函数以及所述所量测温度来判定。
4.如权利要求1所述的用于感测电流的方法，其特征在于，所述所储存的温度传感器增益及偏移修正函数已在校准程序期间使用回归拟合函数来判定。
5.如权利要求4所述的用于感测电流的方法，其特征在于，所述回归拟合函数为线性回归拟合函数。
6.如权利要求1所述的用于感测电流的方法，其特征在于，计算所述电流包含：使所述所量测RDSon电压降乘以所述电压修正因子以产生经修正RDSon电压降，并使用欧姆定律以通过所述经修正RDSon电压降计算所述电流。
7.如权利要求1所述的用于感测电流的方法，其特征在于，所述所储存电压修正函数已在校准程序期间使用回归拟合函数来判定。
8.如权利要求7所述的用于感测电流的方法，其特征在于，所述回归拟合函数为线性回归拟合函数。
9.如权利要求1所述的用于感测电流的方法，其特征在于，所述所储存的温度传感器增益及偏移修正函数由下述步骤来判定，包含：
在第一温度下比较所述MOS晶体管开关的第一芯片上温度传感器读数与所述MOS晶体管开关的第一芯片外温度传感器读数；
在第二温度下比较所述MOS晶体管开关的第二芯片上温度传感器读数与所述MOS晶体管开关的第二芯片外温度传感器读数；
使用至少所述第一芯片上温度传感器读数与所述第一芯片外温度传感器读数的所述比较及至少所述第二芯片上温度传感器读数与所述第二芯片外温度传感器读数的所述比较来拟合回归拟合函数，所述回归拟合函数对应于所述所储存的温度传感器增益及偏移修正函数；及
将所述回归拟合函数储存于所述MOS晶体管开关的驱动器芯片的芯片内存中。
10.如权利要求9所述的用于感测电流的方法，其特征在于，所述回归拟合函数为线性回归拟合函数。
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