[发明专利]柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用有效
| 申请号： | 201510510985.7 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105161388A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;陈善亮;尚明辉;王霖;高凤梅 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 纳米 材料 在场 发射 阴极 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
1.柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性纳米材料为场发射柔性阴极，所述柔性阴极的发射电流密度波动性为±2-4％，开启电场波动性＜±0.05％。
2.根据权利要求1所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述纳米材料形成于柔性衬底上。
3.根据权利要求2所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性衬底为碳纤维布。
4.根据权利要求1所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性纳米材料为颗粒状。
5.根据权利要求1所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性纳米材料包括柔性SiC纳米材料或柔性原子掺杂SiC纳米材料。
6.根据权利要求5所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性原子掺杂SiC纳米材料包括柔性P掺杂SiC纳米材料或柔性N掺杂SiC纳米材料。
7.根据权利要求6所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性P掺杂SiC纳米材料中P的掺杂量为0.2-0.3at％。
8.根据权利要求6所述的柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用，其特征在于，所述柔性N掺杂SiC纳米材料中N的掺杂量为2.38-7.32at％。
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