[发明专利]一种快速升温的热处理炉有效

专利信息
申请号: 201510483080.5 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN105157436B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 王安定;常春涛;赵成亮;王新敏;贺爱娜;岳士强 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: F27D11/02 分类号: F27D11/02;B32B18/00;B32B19/04;B32B19/08;B32B3/08
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 升温 热处理
【说明书】:

技术领域

本发明涉及热处理技术领域,特别是一种快速升温的热处理炉。

背景技术

热处理是将材料加热到一定的温度,保温一定的时间后,以一定的速度降温到室温甚至更低,从而达到改善材料组织结构以及物理化学性能的目的。热处理在金属、陶瓷、玻璃等各种材料热处理方面有非常普及的应用。材料的热处理工艺可以对材料的缺陷、应力、结构、形貌等都产生重要影响,是材料研究、加工中最常用到的工艺。

随着热处理技术的进步,热处理的定义范围扩大,热处理过程中需要控制的参量不断增加,热处理工艺过程日趋复杂,如复合调整升温速度、降温速度、保温时间等。此外,热处理的升降温速度需求越来越高、现有热处理装置如管式炉、箱式炉、马弗炉等装置具有加热面积大、操作简单等特点,适用于大批量处理常规样品。然而,这些设备的升温速度受热传导方式和样品热容负载大的限制,难以实现快速升温,升温过程和降温过程通常都需要几分钟甚至几十分钟,无法实现短时间快速热处理的精确控制要求。

例如授权公告号CN 102077330 B的专利文献公开了一种供用于热处理基板的设备包括:腔室;支撑件,所述支撑件用以将所述基板支托在所述腔室内,所述基板具有一第一面以一第二面,所述第二面相对于所述第一面;辐射加热源,所述辐射加热源将辐射能导引朝向所述基板的所述第一面,并且所述辐射加热源经配置以被快速地开启及关闭,由此可控制地加热所述基板,而使所述基板具有一期望的空间温度分布,所述空间温度分布包括均匀分布;至少一个高温计,所述至少一个高温计用于量测在一预定波长范围间的辐射的强度,所述高温计经设置以接收所述基板所发射出的辐射;以及板,所述板面向所述基板的所述第二面,所述板包括至少一个气体通道,所述至少一个气体通道耦接到至少一个气体来源与所述板的一表面上的数个开口,所述开口经配置以将工艺气体均匀地分布在所述基板上方,所述板具有反射区域,所述反射区域反射在所述预定波长范围内的辐射。

目前常用的可快速升温的热处理炉的加热方式,即辐射加热源有红外光、激光、感应电流、通电焦耳热等。辐射加热源对样品的加热受样品表面光滑度影响,表面反光的样品温度误差大。红外光加热的方法可实现较快的加热速度,升温速度可达10℃/s以上,但是由于红外加热器和测温热电偶的检测和反馈时间差,红外加热炉难以实现高精度控温,通常加热速度越快,温度过冲幅度越大。另外,红外加热过冲中样品和炉体同时受热,样品在腔内难以实现快速冷却,导致热处理时间误差较大,难以实现短时间快速的热处理;激光热处理可以实现快速加热和快速冷却,也便于精确控制处理时间。但是激光热处理的区域受激光束的尺寸限制,扫描平面的方式可以实现大面积热处理,但是效率低,使用成本也高。感应电流和通电焦耳热加热的方式也都存在严重的温度过冲和控温精度低等问题,适用性受到限制。

对于升降温速度和温度控制精度高的热处理,上述设备已无法满足要求,开发操作更加便捷,温度和时间控制更加精确的热处理装置就显得非常有必要。

发明内容

本发明公开了一种快速升温的热处理炉,适用于高导热率和小热容的薄材料的热处理,具有升降温速度快,热处理的温度控制精度高,加热均匀等优点。

一种快速升温的热处理炉,包括炉腔,用于将样品固定在炉腔内的定位件和加热样品的热源,还包括热源驱动部件和定位件驱动部件;

所述热源为加热面相对布置的两块加热板,所述热源驱动部件用于驱动两块加热板夹持样品或相互远离,两块加热板之间为辐射区域;

所述定位件驱动部件用于驱动定位件使样品进出辐射区域。

本发明使用过程:

样品可通过支撑、粘或者夹的方式在定位件上固定,粉末和长度较小的薄膜可先放置在铜箔上再进行固定,所述定位件驱动部件将定位件运行至辐射区域;所述热源驱动部件驱动两加热板闭合夹持加热样品,达到设定加热温度并稳定后,驱动两加热板打开,相互远离。

定位件进出辐射区域和加热板的打开与闭合相配合,即可实现热处理时间的精确控制。当两加热板打开后,定位件进入辐射区域,两加热板闭合,样品在热传导下迅速升温至设定温度。当两加热板打开,定位件运行至辐射区域外,样品可以迅速向气氛中传热并冷却。对于热处理温度在几百度的样品,升温时间和降温时间都大大缩短,因此可将热处理的时间控制很短的时间范围内,从而使样品即可在辐射区域内随炉冷却,也可伸出辐射区域快速冷却。

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