[发明专利]一种超低衰耗弯曲不敏感单模光纤在审
| 申请号： | 201510462611.2 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104991306A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;张磊;龙胜亚;吴俊;艾靓;王瑞春 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超低衰耗 弯曲 敏感 单模 光纤 | ||
1.一种超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.0～3.9μm，芯层相对折射率差Δn1为-0.04％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为8～14μm，相对折射率差Δn2为-0.35％～-0.10％，所述的下陷内包层半径r3为14～20μm，相对折射率差Δn3为-0.6％～-0.2％，所述的辅助外包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4范围为-0.4％～-0.15％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。
2.按权利要求1所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，或锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，芯层中锗的相对折射率贡献量为0.02％～0.10％，碱金属的掺杂量为5～3000ppm。
3.按权利要求2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述芯层中的碱金属为锂、钠、钾、铷、铯、钫碱金属离子中的一种或多种。
4.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长的模场直径为8.4～9.1μm。
5.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1260nm。
6.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散点为1300～1324nm；所述光纤的零色散斜率小于或等于0.092。
7.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1310nm处的色散等于或小于18ps/nm*km。
8.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1310nm处的衰耗等于或小于0.314dB/km。
9.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的衰耗等于或小于0.174dB/km。
10.按权利要求1或2所述的超低衰耗弯曲不敏感单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.03dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB。
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