[发明专利]存储用高浓度银纳米线稳定墨水的制备方法及使用方法有效
| 申请号: | 201510427712.6 | 申请日: | 2015-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN105176198B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
| 发明(设计)人: | 叶长辉;陈超;贾永高;季书林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号: | C09D11/52 | 分类号: | C09D11/52 |
| 代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 浓度 纳米 稳定 墨水 制备 方法 使用方法 | ||
本发明提供了一种存储用高浓度银纳米线稳定墨水的制备方法及使用方法。本发明是利用盐辅助多元醇法制备的银纳米线作为导电填料,以PVP作为表面活性剂和黏度调节剂,加入有机溶剂,搅拌30‑35min后即可获得固含量在0.05‑10wt%之间的银纳米线稳定墨水。通过对制备的稳定墨水进行简单的清洗,实现了银纳米线的纯化。纯化后的银纳米线可用于制备高性能的透明电极。该方法简单易行,重复性好,利于高浓度纳米线的存储,可规模化生产。
技术领域
本发明涉及到导电墨水的制备方法及其使用方法。
背景技术
新一代柔性电子器件中广泛使用的透明电极决定了器件性能的优劣,而银纳米线墨水的制备是制作透明电极的核心,其研发工作受到了广泛关注。中国发明专利CN102391737研发了一种水溶性银纳米线墨水的配方,用于解决制备的高性能透明导电薄膜中银纳米线与基底粘附力的问题。中国发明专利CN101921505公开了一种纳米银导电油墨的制备方法应用于无线射频识别系统。论文Langmuir.2012,28:7101-7106,研发了一种基于银纳米线和聚乙烯氧化物的导电墨水,应用于电磁屏蔽。论文ACS Nano.2010,4(5):2955-2963证明了银纳米线甲醇导电墨水可制备相对均匀的透明导电薄膜,然而放置一段时间后,银纳米线却发生了不可逆的团聚。美国发明专利US0307792、US8018563和US0097059使用半水性墨制备了雾度低于2%的透明导电薄膜。上述研究都定位于通过调控银纳米线墨水的组成来改善透明导电薄膜及器件的力学、光学、电学等性能,然而基于水或乙醇的银纳米线墨水长时间放置容易发生不可逆的团聚,必须现配现用,尚未见到专利或文献提及银纳米线墨水存储过程的稳定性问题;对于工业生产及应用,制备可以稳定存储、随时取用不变质的墨水尤为重要,这正是本发明要解决的问题,即发明一种存储用高浓度银纳米线稳定墨水的制备方法和使用方法。
文献及专利中尚无高浓度银纳米线稳定墨水的报道。
发明内容
本发明提供了一种简单易行的银纳米线稳定墨水的制备及其使用方法。该法不需要超声或球磨,只需要简单的搅拌即可实现银纳米线稳定墨水的制备。通过简单的清洗、离心即可实现银纳米线的纯化,分散于水或乙醇中,即可用于制备透明电极。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种存储用高浓度银纳米线稳定墨水的制备方法,其特征在于,利用盐辅助多元醇法制备的银纳米线作为导电填料,辅以分散剂和有机溶剂,搅拌30~35min后即可获得固含量在0.05~10wt%之间、银纳米线的浓度为2.5mg/ml~20mg/ml范围的银纳米线稳定墨水。
所述的存储用高浓度银纳米线稳定墨水的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)银纳米线的合成:
a、称取平均分子量小于10万的PVP 0.07-0.09g和平均分子量大于20万的PVP0.0830g,将二者放入21-23ml乙二醇溶液中,于130℃左右的加热板上进行搅拌溶解,得到混合PVP乙二醇溶液;
b、在130℃左右的温度下向上述混合PVP乙二醇溶液中依次快速加入氯化铁乙二醇溶液和硝酸银乙二醇溶液,充分搅拌,保温125-135min后,即可得到直径为40nm左右的银纳线,反应结束后,用适量的去离子水清洗,4000rpm离心8-12min后,备用,
所述的氯化铁乙二醇溶液的质量体积比为0.15-0.17g/ml,加入量为2.4-2.6ml;
所述的硝酸银乙二醇溶液的质量体积比为0.05-0.07g/ml,加入量为2.9-3.1ml;
2)银纳米线存储墨水的配制:
a、银纳米线稳定墨水前驱液的调制:将一定量的高分子粘合剂均匀分散于有机溶剂中,充分搅拌溶解即得到前驱液,所述的前驱液中分散剂与有机溶剂的质量体积比为25-35g/L,
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