[发明专利]热辅助磁记录磁头和热辅助磁记录磁盘驱动器有效
申请号: | 201510411563.4 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN105096971B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | E·施雷克;M·斯塔法罗尼;B·C·斯蒂普 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G11B5/48 | 分类号: | G11B5/48;G11B5/127 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助 记录 磁头 磁盘驱动器 | ||
1.一种热辅助磁记录磁头,用于向磁记录层写入,包括:
磁头托架,具有面对记录层的表面;
写极,在所述磁头托架上,具有在所述面对记录层的表面上的一端;
光波导,在所述磁头托架上,用于接收激光辐射;
近场换能器,在所述磁头托架上,用于与所述光波导光耦合,所述近场换能器具有面对所述写极端的在所述面对记录层的表面上的输出端;
在所述磁头托架上的磁阻读磁头,具有在所述面对记录层的表面上的一端,所述写极端和读磁头端是共面的;
保护膜,仅在所述面对记录层的表面的围绕所述近场换能器端和写极端的窗口区上,所述保护膜对于在激光波长的辐射透明;以及
外涂层,在所述面对记录层的表面的非窗口区上和在所述窗口区中的保护膜上,所述外涂层由与所述保护膜的材料不同的材料组成。
2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述保护膜具有大于或等于1nm且小于或等于10nm的厚度。
3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述保护膜由选自于TiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、Sc2O3、Y2O3、MgO、BN、SiN、SiBN和SiBNC的材料形成。
4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述保护膜的材料具有大于1.6的折射率。
5.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述保护膜的材料具有小于10W/mK的导热率。
6.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述近场换能器端是E-天线,该E-天线具有面对所述写极端的中心输出尖端。
7.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述近场换能器端是微喙型天线,该微喙型天线具有大致三角形的输出尖端,所述三角形的顶面对所述写极端。
8.根据权利要求1所述的热辅助磁记录磁头,其中所述外涂层包括无定形类金刚石碳。
9.一种热辅助磁记录磁盘驱动器,包括:
根据权利要求1所述的热辅助记录磁头;
激光器,用于使光指向所述波导;以及
磁记录盘,具有磁记录层。
10.根据权利要求9所述的热辅助磁记录磁盘驱动器,其中所述磁记录层被图案化成包含离散的磁材料岛的大致同心磁道。
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