[发明专利]CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路及逆变器有效

专利信息
申请号: 201510390558.X 申请日: 2015-07-03
公开(公告)号: CN105186904B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 王勇;谢尚玉;邱金辉;杨飞;贾松江;李丽群;刘君;张涛;周培忠;张朝龙 申请(专利权)人: 国网辽宁省电力有限公司;上海交通大学;南京南瑞继保电气有限公司;国家电网公司
主分类号: H02M7/487 分类号: H02M7/487;H02M7/537
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 徐红银;郭国中
地址: 110006 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 拓扑电路 三电平 二极管 导通损耗 零电平 逆变器 钳位 电感 二极管钳位 钳位二极管 并联支路 电路导通 反向恢复 沟道电阻 逆变电路 拓扑回路 防直通 导通 死区
【权利要求书】:

1.一种CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路,其特征在于,包括CoolMosfetSnpc1、CoolMosfet Snpc2、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S1、IGBT S4以及二极管D1和二极管D2;其中:

所述IGBT S1、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S4串联形成回路;

所述CoolMosfet Snpc1漏极连接于IGBT S1、CoolMosfet S2之间;

所述CoolMosfet Snpc1源极与直流侧电容中点相接;

所述CoolMosfet Snpc2源极连接于CoolMosfet S3、IGBT S4之间;

所述CoolMosfet Snpc2漏极与直流侧电容中点相接;

所述二极管D1与二极管D2在电路中的连接点位置采用如下任一种:

-二极管D1阳极连接于CoolMosfet S2源极,二极管D1阴极连接于IGBT S1集电极,二极管D2阳极连接于IGBT S4发射极,二极管D2阴极连接于CoolMosfet S3漏极;

-二极管D1阳极连接于CoolMosfet S3漏极,二极管D1阴极连接于IGBT S1集电极,二极管D2阳极连接于IGBT S4发射极,二极管D2阴极连接于CoolMosfet S2源极;

在CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路的正半周期内,CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路的正电平和零电平相互转换;

在CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路的负半周期内,CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路的负电平和零电平相互转换;

所述CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路的正半周期工作过程为:

当IGBT S1、CoolMosfet S2和CoolMosfet Snpc2开通时,CoolMosfet S3、IGBT S4和CoolMosfet Snpc1关断,此时电路输出正电平;当电流为正方向时,流经路径为从IGBT S1到CoolMosfet S2;当电流为反方向时,流经路径为从二极管D1阳极到二极管D1阴极;

当CoolMosfet S3开通时,电路进入第一暂态过程;

当IGBT S1关断时,电路进入第二暂态过程;

当CoolMosfet Snpc1开通时,电路进入零电平稳态,此时开关状态为CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、CoolMosfet Snpc1、CoolMosfet Snpc2开通,IGBT S1和IGBT S4关断;电流路径为两段CoolMosfet+CoosMosfet支路并联,包括如下两种情况:

如果电流大于零,则电流路径包括如下两路:

第一路,电流从N点一路反向经过CoolMosfet Snpc1沟道,正向经过CoolMosfet S2沟道,到达O点;

第二路,电流从N点正向流过CoolMosfet Snpc2沟道,反向经过CoolMosfet S3沟道,到达O点;

如果电流小于零,则电流路径包括如下两路:

第一路,电流从O点一路反向经过CoolMosfet S2沟道,正向经过CoolMosfet Snpc1沟道,到达N点;

第二路,电流从O点一路正向流过CoolMosfet S3沟道,反向经过CoolMosfet Snpc2沟道,到达N点;

两段CoolMosfet+CoosMosfet支路分别为:

CoolMosfet Snpc1漏极和CoolMosfet S2漏极连接;

CoolMosfet Snpc2源极和CoolMosfet S3源极连接。

2.根据权利要求1所述的CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路,其特征在于,所述第一暂态过程、第二暂态过程均维持几个微秒以内,用以提供正电平和零电平之间的换流时间。

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