[发明专利]一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑有效
申请号: | 201510365917.6 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104954143B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 汪俊杰;郭学枫;张福新;崔太有;丁汨江;罗梓桂;徐锋 | 申请(专利权)人: | 江苏龙芯梦兰信息安全技术有限公司 |
主分类号: | H04L12/02 | 分类号: | H04L12/02 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张俊范 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 低成本 网络 物理 控制电路 拓扑 | ||
1.一种新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑,包括网卡芯片、网络变压器和RJ45网络接口,所述网卡芯片与网络变压器之间以及网络变压器与RJ45网络接口之间通过网络信号总线连接,其特征在于:包括推挽电路,所述推挽电路的输出端与网络变压器的中心抽头连接,所述推挽电路的输入端与网络通断控制信号连接。
2.根据权利要求1所述的新型低成本的网络物理通断控制电路拓扑,其特征在于:所述推挽电路包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接网络变压器的中心抽头高参考电平,所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极接地,所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接并与网络变压器的中心抽头连接,所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极和N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接并连接网口控制信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏龙芯梦兰信息安全技术有限公司,未经江苏龙芯梦兰信息安全技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510365917.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多屏互动方法及装置
- 下一篇:轻量级Hash函数HVH编码技术