[发明专利]一种波斯菊种植方法在审
申请号: | 201510347703.6 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105027879A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 陈财宝 | 申请(专利权)人: | 柳州市天姿园艺有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 高玉滨 |
地址: | 545002 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波斯菊 种植 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种波斯菊种植方法,属于农业种植技术领域。
背景技术
要想使栽植的花卉茁壮生长,选择好培养土十分重要。培养土要根据花卉的种类去进行配制。如首先要了解所养的花卉之原产地土壤特点再去选土,也可用一种相对来说通用的培养土,它是由腐叶土、细砂、园土各一份的比例混匀配成,这种培养土栽培效果比较好,多数花卉使用它都生长得非常茁壮。浇水:浇水操作对花卉栽培来说至关重要,很多人往往由于掌握不好这项技能而影响了花卉栽培的效果。不同的花卉,需水量也不同,例如,水生植物一刻也离不开水,多肉植物每周浇水一次反而有益,而观叶植物大多需要经常保持土壤处于微潮状态;通常较小的植株或新繁殖的植株不耐旱;较大的植株或已成型的植株较耐旱;摆放在露天的花卉需水较多,摆放在温室的花卉需水较少;夏季干燥炎热,花卉需水较多,冬季低温,花卉生长慢,蒸腾量小,浇水就要少一些。施肥:为了保证所有的花卉生长正常,开花繁多,施肥是必不可少的。花卉并不是在一生中所有阶段都需要大量的肥料。除了在生长旺盛期里应该及时补充肥料之个,其它例如幼苗期、休眠期、衰老期等阶段并不需要太多的肥料;由于肥料的种类较多,要知道哪些是有机肥,无机肥.单一肥,复合肥。要清楚这些肥料的作用、特点、用法。然后再根据花卉缺肥的情况确定该施何肥,从而做到有的放矢;肥料的施用一般分为基肥和追肥两种形式。基肥一般采用肥效迟缓的有机肥,追肥一般采用肥效迅速的无机肥,通常使用的方法是将其溶解在水里配成0.1%至0.5%的肥料溶液,即所说的肥水再进行浇灌或喷洒;施肥后,浇水一定要及时跟上,让阳生花卉接受充足光照,给阴生花卉合理遮荫挡光,以保证它们的同化作用顺利进行。另外,光照、定期换盆和病虫害的防治也是非常重要的。
波斯菊原产于墨西哥,不耐寒,喜阳光,也忌酷暑。对土壤要求不严,耐瘠土,但不能积水,在排水良好、湿润,有一定肥力的土壤能较好生长,但在肥沃的土壤反而生长不佳,枝叶徒长,造成开花不好。波斯菊茎杆较细,易倒伏,家庭栽种可设支架,也可在春末开始多次摘心,促使其分枝萌发多而密,抑制生长高度,保持优美的株型。生长期应控制肥水,保持土壤湿润即可使花朵茂密。当气温超过33℃时,植株往往会停止生长,进入休眠状态。花谢果熟后,波斯菊植株即死亡,种子也自动播下,延续生命。波斯菊叶片纤细,花大美丽,尤以花期长而成为布置花坛、草地、庭园、篱笆的极好材料,也可作盆栽、瓶插,十分受人欢迎。
发明内容
本发明提供一种波斯菊种植方法,使波斯菊品质好。
为解决以上技术问题,本发明提供如下技术方案:一种波斯菊种植方法,发芽条件:温度为19-21℃之间,薄层覆土,覆土发芽所需的天数为5-7天,生长温度处在12-14℃,生长的需光性和生长条件:全日照,播种到开花或采收所需的时间为10-12周,地栽高度为40-60cm,或在果熟时采种,在3月下旬进行播种育苗,2个月后开花;或者选用扦插繁殖,在5月进行,选取粗壮的顶枝,剪取8厘米-10厘米长的一段作插条,以3株-5株为一丛插于花盆内,盆宜埋在土中,露出地面4厘米-5厘米,进行浇水遮阳,半个月后即生根,生根后每15天施薄肥液1次,长到15厘米时再摘去顶芽,促使多分枝;40-45天开花。
本发明涉及的这种波斯菊种植方法,使波斯菊品质好。
具体实施方式
一种波斯菊种植方法,发芽条件:温度为19-21℃之间,薄层覆土,覆土发芽所需的天数为5-7天,生长温度处在12-14℃,生长的需光性和生长条件:全日照,播种到开花或采收所需的时间为10-12周,地栽高度为40-60cm,或在果熟时采种,在3月下旬进行播种育苗,2个月后开花;或者选用扦插繁殖,在5月进行,选取粗壮的顶枝,剪取8厘米-10厘米长的一段作插条,以3株-5株为一丛插于花盆内,盆宜埋在土中,露出地面4厘米-5厘米,进行浇水遮阳,半个月后即生根,生根后每15天施薄肥液1次,长到15厘米时再摘去顶芽,促使多分枝;40-45天开花。
本发明涉及的这种波斯菊种植方法,使波斯菊品质好。本发明所述的具体实施方式并不构成对本申请范围的限制,凡是在本发明构思的精神和原则之内,本领域的专业人员能够作出的任何修改、等同替换和改进等均应包含在本发明的保护范围之内。
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