[发明专利]一种单分散氧化亚钴纳米晶的合成方法在审
| 申请号： | 201510325373.0 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104925871A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王立;吕帅;李金林;张煜华 | 申请（专利权）人： | 中南民族大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人： | 余晓雪;王敏锋 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分散 氧化 纳米 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单分散氧化亚钴纳米晶的合成方法，其特征在于，步骤如下：在氢气和氩气混合气氛下，将有机胺和有机钴盐混合，加热到80-100℃保持2-8min，然后以5-10℃/min的速率升温至175~300℃回流1.5h-4h，停止加热，冷却到70℃，离心，洗涤，60~110℃干燥3~12h，得到产物；
所述有机胺为苄胺、十二胺、十四胺或十八胺；
所述有机钴盐为乙酰丙酮钴（III）、乙酰丙酮钴（II）或油酸钴；
所述有机钴盐与有机胺摩尔比为1/5~1/1600。
2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：所述有机钴盐与有机胺摩尔比为1/10~1/400。
3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：所述氢气和氩气混合气氛中，氢气体积分数为10-40%。
4.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：所述加热到80-100℃保持2-8min后，以5-10℃/min的速率升温至180~280℃。
5. 根据权利要求1-4中任一所述的合成方法，其特征在于：所述产物为单分散氧化钴颗粒，属于立方晶系，生长方向为[111]。
6.根据权利要求1-4中任一所述的合成方法，其特征在于：所述产物平均粒径为2~60nm。
7.根据权利要求1-4中任一所述的合成方法，其特征在于：所述产物平均粒径为5.4~34.5nm。
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