[发明专利]用于能量辅助磁记录的具有宽金属条特征的干涉近场换能器有效
申请号: | 201510316263.8 | 申请日: | 2015-06-10 |
公开(公告)号: | CN105321532B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | J·曹;M·V·莫雷利;M·R·吉本斯;P·张;B·V·约翰逊;H·袁 | 申请(专利权)人: | 西部数据(弗里蒙特)公司 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/48 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;徐东升 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 能量 辅助 记录 具有 金属 特征 干涉 近场 换能器 | ||
用于能量辅助磁记录的具有宽金属条特征的干涉近场换能器。本发明涉及一种用于存储盘的能量辅助磁记录的设备,其包括:多个介电波导芯,其被配置为将所接收的入射光能引导到目标;以及近场换能器(NFT),其被配置为聚焦从多个波导芯接收的光能并将所聚焦的光能传输到存储盘表面上以在存储盘上生成加热点。NFT包括由来自波导芯的光能激励的多个传播表面等离子体极化激元(PSPP)元件。每个PSPP元件具有在单个波导芯上方纵向对齐设置的等离子体金属条。每个金属条的宽度是在存储盘上生成的加热点的宽度的至少两倍。
相关申请的交叉引用
本申请要求在2014年6月10日提交的美国临时申请第62/010,072号的权益,其全部内容通过引用明确包含在本文中。
背景技术
高密度存储盘被配置有为存储提供所需数据稳定性的多层材料。在对磁盘写入时,介质的磁性质可以被软化以帮助改变比特/位(bit)状态。能量辅助磁记录(EAMR)装置或热辅助磁记录(HAMR)技术提供当在磁存储盘上写入时聚焦在纳米大小的位区域上的热量,这实现磁软化。光波导将来自激光二极管的光引导至近场换能器(NFT)。NFT耦合来自波导(WG)的衍射极限光,然后将超过衍射极限的光场能量进一步聚焦直到高度汇聚的(纳米大小的)近场介质加热点,使得能够实现到磁存储盘的EAMR/HAMR写入。NFT的低效率可能对激光二极管的功率分配和EAMR/HAMR系统寿命具有负面影响。较高的NFT效率允许较低的激光器功率需求,减轻对来自激光源的总体光功率的EAMR/HAMR系统需求,并引起EAMR/HAMR磁头的寄生加热的较低功率,结果是改善的可靠性。
在NFT中,等离子体金属可以用来形成SPP(表面等离子体极化激元),其实现超过光的衍射极限的纳米聚焦功能。高质量等离子体金属依赖于高密度自由电子,其具有弱机械鲁棒性并且易受由EAMR磁头中的热应力或机械应力导致的损坏。在这些应力下,EAMR/HAMR装置的使用寿命受限于在具有精细(纳米大小的)特征的等离子体金属部件诸如在背脊或引脚处发生的NFT故障。
附图说明
现在将参考附图通过举例的方式而非限制的方式在具体实施例中展示本发明的各方面,在附图中:
图1示出示例性硬盘驱动器的图示。
图2示出用两个等离子体金属条形成的近场换能器的示例性实施例的图示。
图3示出用两个等离子体金属条和一个等离子体金属帽形成的近场换能器的示例性实施例的图示。
图4示出用两个等离子体金属条形成并耦合到磁极的近场换能器的示例性实施例的图示。
图5示出用具有中心线的两个等离子体金属条形成的近场换能器的示例性实施例的图示,该中心线偏离介电波导芯中心线。
具体实施方式
在下面关于附图阐述的详细描述旨在作为各种示例性实施例的描述,并且不旨在代表可实践的唯一实施例。详细描述包括用于提供实施例的透彻理解的具体细节。然而,对本领域技术人员来说显而易见的是可以在没有这些具体细节的情况下实践实施例。在一些实例中,众所周知的结构和部件以框图形式示出以便避免混淆实施例的概念。缩写词和其他描述性术语可以仅为了方便和清晰而使用,并且不旨在限制实施例的范围。
在附图中示出的各种示例性实施例可以不按比例绘制。相反,为清晰起见,各种特征的尺寸可能被放大或缩小。另外,为清晰起见,一些附图可能被简化。因此,附图可以不描绘给定设备的所有部件。
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